深圳恒温晶振怎么测量好坏？

在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。振荡器模块上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成硅振荡器。恒温晶振恒温晶振得主要优点是:由于采用了恒温槽的技术,频率温度特性会在所有类型晶振之中是最好得;由于电路设计很精密恒温晶振

时钟IC芯片上面讲到了时钟的产生，那他是如何工作的接下来我给大家讲解一下时钟IC芯片。时钟IC芯片的工作条件：①。供电→他的供电基本上都经过个子较大的贴片电感进入时钟IC芯片（贴片电感时钟IC芯片附近就可以找到因为他比其它帖片要胖一点）。时钟IC芯片早期的供电有2组到3组：2组供电为2.5V与3.3V3组供电为2.5V与2.8V时钟IC芯片后期的供电有1组到2组：1组为+3.3V2组为3.3V与2.5V,其短稳与相位噪声都会比较好.主要的缺点是需5分钟左右得加热时间才可以正常的工作.所以在测试恒温晶振之时会需对其进行开机5分钟的测试,测试指标包括了:4、压控晶振（VCXO）压控晶振是一种用控制电压使频率按一定规律偏移或调制的石英晶体振荡器。特点：频率可随外加调制电压而改变；频率范围：1～250MHz；频率稳定度：普通晶振压控为≤（1～2）×10-3fo/n2,高稳晶振可微调10-7。频率微调或锁相同步。

恒温晶振负载电容可以在振荡器电路设计中发挥关键作用。在下一个设计注意事项中，您将看到一个负载电容重要性的示例，但现在，让我们仔细研究一下负载电容本身负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容。负载电容被描述为在电路中晶体端子两端测量或计算的电容量。对于串联电路，晶振电路的连接点之间没有电容。因此，电路中没有负载电容。并联电路则是另一回事。要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素3中进行了描述)，请使用以下便捷公式：

恒温晶振恒温石英晶体振荡器温度特性试验的升温速率是有标准的.简要说明如下：一、环境试验箱温度应按阶梯（或按规定速率直线）式升高恒温晶振4、恒温晶振与温补晶振的区别温补晶振：TCXO，普通的振荡器内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm可以实现。消耗电流一般小于几十mA。是最常见的高精度的产品。在通讯终端中很常见。更好的如EPSON(爱普生)TG-5500CA系列温补晶振已经实现0.1ppm的高精度和20年的高稳定性。,并在每次温度调整时都要有规定的稳定时间．注：在某些应用场合．可能要求测定从最低温度升到最高温度与从最高温度降劐最低温度之间频率温度特性的再现性.