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压控晶振VoltageControlledCrystalOscillator（VCXO）：是一种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器，主要用于锁相环路或频率微调。压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所用变容二极管及晶体参数两者的组合
晶振定制恒温晶振与
温补晶振都属于晶体振荡器，都是有源晶振，所以组成的震荡电路都需要电源加入才能工作。下面将简单介绍一下两者的区别。恒温晶体振荡器简称恒温晶振，英文简称为OCXO（OvenControlledCrystalOscillator）晶振定制
关于晶体振荡器的期望频率，有一些可用的选项。保持单个特定频率的振荡器。例如10MHz晶体振荡器。晶体振荡器提供的频率可能需要更改。例如，视频成帧器可能需要在297MHz和1.001MHz的两个不同视频帧速率之间切换作为裕量测试的一部分，有意向振荡器添加一个小的频率偏差，以对系统级建立和保持时间进行压力测试，是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻“电桥“构成的差动串联放大器，来实现温度控制。52.将恒温晶振安装在测试夹具上，并接上数字电流表和频率计数器后，将其放入恒温箱内；53.设置恒温箱的测试温度范围及测试温度点，在此温度范围内对恒温晶振各探测点的温度进行采集，录入计算机，同时记录恒温晶振在每个测试温度点相应的输出频率以及电流值。其中，所述步骤SI中，在恒温晶振的上盖上开孔，测试恒温晶振内部探测点的温度探测线从该孔中穿过并做密封处理，其一端的电极粘接在恒温晶振内部的探测点上。其中，所述步骤SI中，恒温晶振内部选定的探测点包括晶体谐振器位置、功率管位置、热敏电阻位置、变容二极管位置及振荡电感位置，并且每个位置选2至3个点。其中，所述步骤SI中，恒温晶振内部选定的探测点的数目根据孔的大小和温度探测线的线径确定。其中，所述步骤S2中，设置恒温箱的初始温度为25°C，恒温晶振在此条件下加电工作I小时后再开始测试。其中，所述步骤S3中，设置恒温箱的测试温度范围为-40°c至85V，从_40°C开始测试，设定恒温箱的温变速率。其中，所述步骤S3中，在恒温箱的温度首次降为-40°c时保持30分钟才做测试。其中，所述步骤S3中，测试温度点依次为-4o°c、-3o°c、-2o°c、-1(rc、(rc、i(rc、20°C、30°C、40°C、50°C、60°C、70°C、80°C和85°C;利用计算机记录恒温晶振在各测试温度点的数据时，将恒温晶振在_40°C保持30分钟，在其它13个温度点各保持15分钟。其中，所述步骤S3中，连续在两个_40°C至85°C测试循环内对恒温晶振进行测试，并且重复测试时可以改变恒温箱的温变速率。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本发明基于电极探测采样法，将温度探测电极用高温胶粘合在恒温晶振内部，在恒温晶振内部形成多个探测点，通过温度数据采集卡读取各个探测点的温度，并根据需要对这些数据进行分析、处理，确定最佳的晶体谐振器位置、功率管位置、热敏电阻位置、变容二极管位置、振荡电感位置，这样得到一个最优的恒温槽结构，使得晶体谐振器的周围环境温度变化量最小，恒温晶振的温度稳定性最好；还可以根据测试到的数据，增加加温度补偿器件，使恒温晶振的温度稳定度更好。通过上述过程指导恒温晶振恒温槽的设计工作。本发明为高稳定度恒温晶振的设计奠定了良好的基础，使恒温晶振的设计者可以节省大量的时间，极大缩短恒温晶振的设计周期，保证设计质量。并且具有操作简单、灵敏度高、精度好、判定准确可靠等特点，尤其适用于设计稳定度较高指标的恒温晶振。
晶振定制温补晶振，由于晶体振荡器的震荡制频率会随着温度的变化而变化9）、再现性：振荡器经过规定的时间间隔，再加电一段时间后返回原来频率的能力；10）、输出功率：施加规定电压和规定负载下，振荡器消耗的电能，用电压和消耗电流的积表示；11）、输出电压（正弦波）：施加规定的电压和负载，在规定的时间内达到稳定后，用RF表测得的有效值或用示波器测量电压峰-峰值后换算的有效值。，为了抵消温度对晶振频率的影响，控zhidao制晶振的谐振电容随温度变化而变化，抵消温度晶体影响提高频率稳定性一般的恒温晶振可以做的比温补晶振精度更好。
晶振定制还有耐高温、低噪声和抗辐射晶振等。这些晶振常用于坦克、装甲车、飞机、军舰、潜水艇及弹射装置的电子设备中；有的用于矿井探测及高温环境中；有的用于核爆试验及宇航空间电子设备中。晶振定制即：使用2B晶振在做算法优化的前提下，时钟可以保持13.2个小时漂移在1.5μS以内。对于3E晶振（由于温度特性过于差，导致老化优化只能大约提升1个数量级）温度漂移=（5E-8/（30+70））*1=5E-10
