第二种3E晶振：温度稳定度5E-8（-30~70℃）年老化1E-7日老化1E-9不做算法优化一般在有空调的密闭环境下，24小时的环境温度变化大约为±2度，5小时的环境温度变化大约为1度。对于2B晶振温度漂移=（3E-9/（30+70））*1=0.3E-10
压控晶振vctcxo晶振的工作原理一、什么是晶振？晶振是石英振荡器的简称，英文名为Crystal，它是时钟电路中最重要的部件压控晶振vctcxo
时钟IC芯片上面讲到了时钟的产生，那他是如何工作的接下来我给大家讲解一下时钟IC芯片。时钟IC芯片的工作条件：①。供电→他的供电基本上都经过个子较大的贴片电感进入时钟IC芯片（贴片电感时钟IC芯片附近就可以找到因为他比其它帖片要胖一点）。时钟IC芯片早期的供电有2组到3组：2组供电为2.5V与3.3V3组供电为2.5V与2.8V时钟IC芯片后期的供电有1组到2组：1组为+3.3V2组为3.3V与2.5V，它的主要作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率，它就像个标尺，工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定，自然容易出现问题。总之，晶振良好的温度特性不仅可以极大减小晶振受温度影响的漂移量，也可以实现晶振老化优化2个数量级。同样，一般在有空调的密闭环境下，24小时的环境温度变化大约为±2度，5小时的环境温度变化大约为1度。对于2B晶振
压控晶振vctcxo负载电容可以在振荡器电路设计中发挥关键作用。在下一个设计注意事项中，您将看到一个负载电容重要性的示例，但现在，让我们仔细研究一下负载电容本身石英晶体的压电效应：若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。注意，这种效应是可逆的。如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。。负载电容被描述为在电路中晶体端子两端测量或计算的电容量。对于串联电路，晶振电路的连接点之间没有电容。因此，电路中没有负载电容。并联电路则是另一回事。要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素3中进行了描述)，请使用以下便捷公式：
压控晶振vctcxo由晶体SJT连接在A1的输入和输出端之间，用以提供反馈回路，在晶体的基频上产生振荡。这个简单又廉价的晶体振荡器由74LS04的两个门及外围元件组成，电路如图3所示：电阻R1和R2将两个反相器F1、F2偏置在线性范围内，并由晶体SJT提供反馈回路，其在晶体的基频上产生20MHz振荡频率，然后由反相器F3送至由74LS74构成的D型触发器进行分频压控晶振vctcxo3、
恒温晶振（OCXO）恒温晶振是一种至少能控制石英晶体元件温度基本保持恒定的石英晶体振荡器。它利用热力学原理，把石英晶体或全部振荡电路放置于恒温器内来改善频率温度特性的晶体振荡器（有一般精密和高精密晶振之分）。。若要进行二分频或四分频、八分频等，则需遵循2n分频规律（n为级数）。n=1，则21=2分频，即将20MHz经A1＝分频电路后，Q1输出10MHz；若四分频，n=2，则22=4分频，即将20MHz经A1、A2四分频电路后，Q2输出5MHz；若进行三分频，当f第三个脉冲过后，Q1=1，Q2=1，这时Q1ˉ=0，Q2ˉ=0，或非门HF1输出为1，至R端复位，将Q1、Q2复位为00，结果经A1、A2三分频后，Q2输出约6.7MHz；若需五分频，当计数为5时，Q1Q2Q3=101，即Q1ˉ=0，Q3ˉ=0，或非门HF2输出为1，将Q1、Q2、Q3复位为000，结果Q3输出4MHz频率。
