广东温补晶振哪里可以买

另外晶振供电电源如果采取波动较小的LDO供电，且电源特性漂移相比日老化及温度漂移要小很多，可以忽略。所以保持模式下漂移的主要影响因素=晶振的日老化+晶振温度漂移两种晶振指标在时钟板上的保持指标第一种2B晶振：温度稳定度3E-9（-30~70℃）年老化3E-8日老化3E-10温补晶振所谓恒温晶体振荡器简称“恒温晶振”，主要是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器温补晶振

2系统设计系统以FPGA作为控制器，芯片选用Altera公司的EP3C25E144C8，内部具有丰富的逻辑资源。开发平台是QuartusII集成开发环境，采用VetilogHDL语言对各功能模块进行逻辑描述，并完成了逻辑编译、逻辑化简、综合及优化、逻辑布局布线，并使用Modelsim、SignalnapII进行逻辑仿真，实现系统的设计要求，系统的原理框图所示。。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻"电桥"构成的差动串联放大器，来实现温度控制。恒温晶振具备低作用，快速启动，低电压工作，低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V。许多TCXO和VCXO产品，电流损耗不超过2mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。温补晶振1、每一个单独指标必须单独测试，不能同时测试几种指标，也不能同时测试几只晶振。2、测试时要严格按照标准的测试电路和测试环境进行测试温补晶振

晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。。3、在没有相当的测试设备和测试人员的情况下，不建议客户自行测试晶振，更不能随意调试晶振，测试设备的等级应至少比晶振指标高一个数量级。

温补晶振一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等温补晶振3.压控晶振VoltageControlledCrystalOscillator（VCXO）：是一种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器，主要用于锁相环路或频率微调。压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所用变容二极管及晶体参数两者的组合。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。