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压控晶振（VCXO）压控晶振是一种用控制电压使频率按一定规律偏移或调制的石英晶体振荡器。特点：频率可随外加调制电压而改变；频率范围：1～250MHz；频率稳定度：普通晶振压控为≤（1～2）×10-3fo/n2,高稳晶振可微调10-7。频率微调或锁相同步。晶振一种提高
恒温晶振频率稳定度的方法技术领域：本发明涉及电子材料领域的恒温晶振，具体涉及一种恒温晶振内部温度提高恒温晶振频率稳定度的测试方法。背景技术：高稳定度晶振是计量的基础，利用恒温槽将晶体的温度保持在一定的温度范围内做成的晶振就是恒温晶振，高稳定度的恒温晶振是目前广泛使用的产品中用得比较多的，特别是稳定度为10E-9\10E-10这个量级的晶振，基本都是恒温晶振晶振
5）稳定时间：振荡器从初始加电到稳定工作在规定极限值所需要的时间；6）相位噪声：是指信号功率与噪声功率的比率（C/N），是表征频率颤抖的技术指标。在对预期信号既定补偿处，以1Hz带宽为单位来测量相位噪声；。为了提高恒温晶振的频率稳定度，在恒温晶振设计尤其是恒温晶振的热槽结构设计时，准确了解恒温晶振内部各关键点的确切温度，是业界一直努力的一个方向。我国在恒温晶振的设计理论方面走了几十年的历史，有很大进步，但设计高稳定度的晶振一直依靠设计者的经验、研究国外的样品、理论计算和个人感觉等因素，对恒温槽内的恒温情况没有做实际的测试，导致了设计成本增加、周期长、技术经验等不足。负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容
晶振不存在哪种产品好哪种产品不好，主要是看需要。性能高的产品价格必然贵，对使用的需求也高解了。后者就是通常所指钟振。2、分类。首先说一下谐振器。谐振器一般分为插件（Dip）和贴片（SMD）。插件中又分为HC-49U、HC-49U/S、音叉型（圆柱）。HC-49U一般称49U，有些采购俗称“高型”，而HC-49U/S一般称49S，俗称“矮型”。音叉型按照体积分可分为3*8，2*6，1*5，1*4等等。贴片型是按大小和脚位来分类。例如7*5（0705）、6*3.5（0603），5*3.2（5032）等等。脚位有4pin和2pin之分。。适用的才是最好的。理论上来讲一般的恒温晶振要比
温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而温补晶振的开机特性较好。
晶振温补晶振，TCXO，普通的振荡器内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm晶振2．2电路设计D／A芯片选用TI公司TLV5616，它是低功耗单片12位串行数模转换器，分辨率为4096，该芯片采用三线制(SCLK、SYNC、DIN)串行接口，SCLK方波信号为下降沿时，TLV5616读取DIN的电平信号，转化成相应的电压送往恒温晶振，用于晶振的微调，晶振频率调整硬件电路如图4所示。。消耗电流一般小于几十mA。是最常见的高精度的产品。在通讯终端中很常见。恒温晶振，OCXO，在特制的晶体周围包有振荡电路和恒温电路，频率稳定度可以达到+/-0.01ppm。消耗电流一般300mA~2A。主要应用于卫星，通讯基站等。
