对于3E晶振温度漂移=（5E-8/（30+70））*1=5E-105小时老化漂移=（1E-9/24）*5=2.1E-10所以保持指标达到1.5μS的小时=（（1.5*10E10/10E6）/（60*60））/（5+2.1）=0.6H
压控晶振vctcxo一种提高
恒温晶振频率稳定度的方法技术领域：本发明涉及电子材料领域的恒温晶振，具体涉及一种恒温晶振内部温度提高恒温晶振频率稳定度的测试方法。背景技术：高稳定度晶振是计量的基础，利用恒温槽将晶体的温度保持在一定的温度范围内做成的晶振就是恒温晶振，高稳定度的恒温晶振是目前广泛使用的产品中用得比较多的，特别是稳定度为10E-9\10E-10这个量级的晶振，基本都是恒温晶振压控晶振vctcxo
恒温晶振
温补晶振恒温晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，故为了保持频率的稳定性，将晶振控制在一个恒定的温度下工作以此来提高晶振的相频特性。温补晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，为了抵消温度对晶振频率的影响，控制晶振的谐振电容随温度变化而变化，抵消温度晶体影响提高频率稳定性。。为了提高恒温晶振的频率稳定度，在恒温晶振设计尤其是恒温晶振的热槽结构设计时，准确了解恒温晶振内部各关键点的确切温度，是业界一直努力的一个方向。我国在恒温晶振的设计理论方面走了几十年的历史，有很大进步，但设计高稳定度的晶振一直依靠设计者的经验、研究国外的样品、理论计算和个人感觉等因素，对恒温槽内的恒温情况没有做实际的测试，导致了设计成本增加、周期长、技术经验等不足。②PG信号是在启动时输出电压都稳定后再给电脑一个启动信号，让电脑正式启动，而在意外断电时也能及时地送出关机信号让电脑马上停止工作，对电脑的稳定和外设起了很大的保护作用。PG信号基本是通过时钟IC芯片旁边的阻值较大的电阻（10K、4.7K电阻）进入时钟IC芯片内部的（PG要高于1.5V）当供电与PG都正常后时钟IC芯片内部才能正常工作，和晶体一起产生振荡，在晶体的两脚均可以看到波形。晶体的两脚之间的阻值在450---700欧之间。在它的两脚各有1V左右的电压，由分频器提供。他才能把14.318晶振送来的时钟频率放大或缩小后输给主板的各个部件。
压控晶振vctcxo负载电容可以在振荡器电路设计中发挥关键作用。在下一个设计注意事项中，您将看到一个负载电容重要性的示例，但现在，让我们仔细研究一下负载电容本身晶振频率：1[时域表征]⑴?在规定条件下，晶振内部元件由于老化而引起的输出频率随时间的漂移。通常用某一时间间隔内的老化频差的相对值来量度（如日、月或年老化率等）。⑵?日稳定度（或称日波动）：指晶振的输出频率在24小时内的变化情况。通常用其最大变化的相对值来表示。。负载电容被描述为在电路中晶体端子两端测量或计算的电容量。对于串联电路，晶振电路的连接点之间没有电容。因此，电路中没有负载电容。并联电路则是另一回事。要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素3中进行了描述)，请使用以下便捷公式：
压控晶振vctcxo恒温晶体振荡器技术应用领域：恒温晶体振荡器被广泛应用到军、民用通信电台，微波通信设备，程控电话交换机，无线电综合测试仪，BP机、移动电话发射台，高档频率计数器、GPS、卫星通信、遥控移动设备等。它有多种封装，特点是电气性能规范多种多样。它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器(VCXO)、温度补偿晶体振荡器(TCXO)、恒温晶体振荡器(OCXO)，以及数字补偿晶体振荡器(MCXO或DTCXO),每种类型都有自己的独特性能压控晶振vctcxo5G来了以后，也分了三种业务，一个是基本业务，就是刚才提到的三微秒那个需求。还有协同业务和新业务，需求有的会更高。联通现在的方案应该是属于一种过渡的方案，因为在4G时代的时候我们已经把核心的时间服务器都买过了，4G的网络还会在，通过核心接入逐条传下去，满足5G初期的1.5us是没啥大问题。未来如果有窄波聚合的需求，聚合不是主网的聚合，只是部分区域的，针对部分区域可以用NTP时间服务器，现在新的双频接收技术，通过卫星的两个频点去接收，这样来算对流层更精确一些，恢复的时间更精准一些。共视法目前有厂商在做设备，精度还是很高的，可以达到亚纳秒级，但是应用还有一些问题。。如果您需要使您的设备即开即用，您就必须选用VCXO或温补晶振，如果要求稳定度在0.5ppm以上，则需选择数字温补晶振(MCXO)。模拟温补晶振适用于稳定度要求在5ppm～0.5ppm之间的需求。VCXO只适合于稳定度要求在5ppm以下的产品。在不需要即开即用的环境下，如果需要信号稳定度超过0.1ppm的，可选用OCXO。
