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温补晶振（TCXO）温补晶振是一种带有补偿系统的减小温度引起的频率变化的石英晶体振荡器。（补偿的方法：电抗法、数字法）特点：用热敏补偿网络来提高石英晶体的温度特性指标，可满足较宽温度范围的需要；频率范围：1～40MHz;频率稳定度：5×10-6～5×10-7。tcxo晶振
恒温晶振得主要优点是:由于采用了恒温槽的技术,频率温度特性会在所有类型晶振之中是最好得;由于电路设计很精密tcxo晶振
恒温晶振经过校准后的频率偏差小于0．01Hz，在1PPS准确输出时，累加1PPS具有的100ns误差，授时模块输出的时间信息误差小于105ns。当GPS接收机未正常工作时，由于恒温晶振前期经过频率校准和自身较高的稳定度，在一定时间内依然可以保证高精度的授时功能。,其短稳与相位噪声都会比较好.主要的缺点是需5分钟左右得加热时间才可以正常的工作.所以在测试恒温晶振之时会需对其进行开机5分钟的测试,测试指标包括了:石英晶片的切型大致可以分为AT切、BT切、CT切、DT切等，不同的切型，所对应的频率温度曲线不一样，可以采用AT切32.768KHZ钟振来解决难题。音叉32.768KHZ晶体频率温度曲线为二次抛物线，随着工作温度偏离常温25℃越远，温漂也随之变大，-10℃~60℃其温漂达到将近50ppm，如按工业级-40℃~85℃计算，温漂高达151ppm，难以适应工业级工作温度范围的电子产品，对其进行温度补偿也较为困难，因此，市面上针对32.768KHZ的TCXO很少，且价格极为昂贵。对于一般的消费类电子行业，如需工业级-40℃~85℃，且温度频差控制在±30ppm以内，使用普通音叉型32.768KHZ晶体，是无法满足要求的。然而，如果能将晶片切型改为AT切的切型，那么工业级温度频差控制在±30ppm以内将不成问题。
tcxo晶振负载电容可以在振荡器电路设计中发挥关键作用。在下一个设计注意事项中，您将看到一个负载电容重要性的示例，但现在，让我们仔细研究一下负载电容本身(6)恒温箱一台，温变速率可控；(7)计算机以及相应软件；(8)电源及其他连接线。本发明的具体实施步骤包括:S1.在恒温晶振内部选定温度探测点:恒温晶振的上盖开孔；在恒温晶振内部选定包括晶体谐振器位置、功率管位置、热敏电阻位置、变容二极管位置及振荡电感位置5个位置，每个位置选2至3个点，探测点的数目根据孔的大小和温度探测线的线径确定。因为线(探测点)太多会对恒温晶振内部的温度场产生影响，线(探测点)太少恒温晶振的内部热量可能从上盖孔往外散发，都会影响测试效果；打开恒温晶振上盖，将温度探测线穿过恒温晶振上盖上的孔，用高温胶将温度探测线的电极粘接在选定的探测点上，粘接好后，按照线的序号登记探测点位置，盖上恒温晶振上盖，尽量做好密封处理。。负载电容被描述为在电路中晶体端子两端测量或计算的电容量。对于串联电路，晶振电路的连接点之间没有电容。因此，电路中没有负载电容。并联电路则是另一回事。要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素3中进行了描述)，请使用以下便捷公式：
tcxo晶振4)线性度:理想的压控电压和频率变化量的关系是线性的,但实际上总会有所偏差,这个偏差就是表征理想程度的压控线性度,通常用百分比表示tcxo晶振对于3E晶振温度漂移=（5E-8/（30+70））*1=5E-105小时老化漂移=（1E-9/24）*5=2.1E-10所以保持指标达到1.5μS的小时=（（1.5*10E10/10E6）/（60*60））/（5+2.1）=0.6H。5)如果系统不能给出稳定的电压信号,或者对输出频率有严格的控制要求时,通常贴片晶振的振荡器可以自己给出经过稳压后的精准的电压供压控电压用,这个精准的电压就是参考电压。
