式中,do、d为正数,参数aj(n),j=1,2,…,M由当前数据输入和上次数据输出迭代估计得到,价值函数为通过最小化价值函数,可以得到参数a,(n),j=1,2,…,M,得到t(n)时刻的aoa1…aM后,t(n+l)时刻的相对频率偏差预测值为:
cimake晶振恒温晶体振荡器具有很大的频率输出稳定性，恒温槽能使晶振的温度保持恒定cimake晶振
，使得外部温度的变化对震荡器的频率输出变化削减到最小。从中我们可以看出，
恒温晶振能在很极端的条件下使用。⒋时钟发生器的工作原理：时钟我们可以把他定义为各个部件的总线频率速度，他起着分配给各个部件的频率使他们能够正常工作。当晶振通电后发出的频率送入时钟IC芯片，它的各脚会传出相对应的频率通个时钟IC芯片旁边的电阻（时钟IC芯片旁边左右两边一排的小电阻基本为220=22欧，330=33欧）。而内存，与AGP这些高速的时钟是由北桥内部提供给它的，（注有些主板AGP时钟不是由北桥提供的）将频率信号分配到主板各个部件，如（PCI33M，CPU100M133M200MI/O48M和14M，南桥33M&14M北桥100M7&133M&200M
cimake晶振1.AT切晶体在非恒温的情况下，在宽温度范围内（-40~+85）其频率温度变化要小于SC切的晶体，适合于
温补晶振负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容。2.AT切晶体的频率牵引率较大，适合于温补晶振。3.良好设计的5次泛音的晶体比3次泛音的晶体Q值更高，相噪、老化、稳定度都会更好，更适合做恒温晶振。
cimake晶振当恒温槽的工作温度波动被控制在很小范围内时,如优于百分之一摄氏度时,其频率温度变化也可以被限制在很小的范围内,而且正是由于这种恒温作用,其频率温度变化曲线非常接近于线性cimake晶振时钟IC芯片上面讲到了时钟的产生，那他是如何工作的接下来我给大家讲解一下时钟IC芯片。时钟IC芯片的工作条件：①。供电→他的供电基本上都经过个子较大的贴片电感进入时钟IC芯片（贴片电感时钟IC芯片附近就可以找到因为他比其它帖片要胖一点）。时钟IC芯片早期的供电有2组到3组：2组供电为2.5V与3.3V3组供电为2.5V与2.8V时钟IC芯片后期的供电有1组到2组：1组为+3.3V2组为3.3V与2.5V。所以对OCXO恒温晶振的频率温度变化的预测可以采用线性数学模型,而Kalman滤波算法正是一种较好的线性模型估计器,因此用它来拟合OCXO恒温晶振的频率温度特性曲线是合适的。
