晶振在电气上可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率为串联谐振，较高的频率为并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。
ocxo晶振晶体，就是晶体，Crystal，简写为XTAL。双端输出，不需供电。震荡电路在芯片内部。晶振，是晶体振荡器，CrystalOscillator，简写为XOocxo晶振
。单端输出，需要供电。震荡电路在晶振内部。1.?普通晶振PackagedCrystalOscillator（PXO）：是一种没有采取温度补偿措施的晶体振荡器，在整个温度范围内，晶振的频率稳定度取决于其内部所用晶体的性能，频率稳定度在10-5量级，一般用于普通场所作为本振源或中间信号，是晶振中最廉价的产品。一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。一般的晶振的负载电容为15p或12.5p，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。晶振是为电路提供频率基准的元器件，通常分成有源晶振和无源晶振两个大类，无源晶振需要芯片内部有振荡器，并且晶振的信号电压根据起振电路而定，允许不同的电压，但无源晶振通常信号质量和精度较差，需要精确匹配外围电路（电感、电容、电阻等），如需更换晶振时要同时更换外围的电路。有源晶振不需要芯片的内部振荡器，可以提供高精度的频率基准，信号质量也较无源晶振要好。
ocxo晶振2.
温补晶振TemperatureCompensatedCrystalOscillator（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器5G来了以后，也分了三种业务，一个是基本业务，就是刚才提到的三微秒那个需求。还有协同业务和新业务，需求有的会更高。联通现在的方案应该是属于一种过渡的方案，因为在4G时代的时候我们已经把核心的时间服务器都买过了，4G的网络还会在，通过核心接入逐条传下去，满足5G初期的1.5us是没啥大问题。未来如果有窄波聚合的需求，聚合不是主网的聚合，只是部分区域的，针对部分区域可以用NTP时间服务器，现在新的双频接收技术，通过卫星的两个频点去接收，这样来算对流层更精确一些，恢复的时间更精准一些。共视法目前有厂商在做设备，精度还是很高的，可以达到亚纳秒级，但是应用还有一些问题。。一般模拟式温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用。
ocxo晶振而温补晶振的开机特性较好。
恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程2、恒温晶体振荡器专业术语1）频率准确度：按规定条件要求，在基准温度下测试，晶体振荡器的频率相对于其规定标称值的最大允许偏差，即（f-f0）/f0；2）频率－温度稳定度：按规定条件要求，在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的最大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即±（fmax-fmin）/（fmax+fmin）；。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天ocxo晶振。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的晶振还没正常工作怎么用？
