5.电压控制－温补晶体振荡器（VCTCXO）温度补偿晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。?6.电压控制－恒温晶体振荡器（VCOCXO）恒温晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。7.带热敏电阻的晶体-?Temperature?Sensing?Crystal?(TSX)?
温补晶振6．完善的北斗和GPS信号的性能监测，自动或手动选择主用卫星信号。7．自保持能力强，时钟装置收不到卫星信号后，自守时能力优于7*10-9温补晶振
也有人将恒温晶器。也有人将恒温晶温晶振。双槽分内、外槽。晶振和温控置内槽,外槽是一个独率立的,置内槽于其中,温度较低的槽。但是,也必须高于环境温度的上限。内控制器只补偿外槽的温度变化,外控制器补偿整个温度范围。热量Q的计算:。8．装置具有多个物理隔离的相互的10/100M网口（每个端口具有的MAC地址），多个端口可以灵活的配置使用，可以用在不断增长变化的网络环境中；还可用于不同的子网或不同的物理隔离的网络中。另外，还可用来作为NTP网管来使用，使两个物理隔离的网络共享时间服务器资源。1)电压范围:用来调节频率的电压的可调范围。常见的有0~3.3V,0.3~3.0V,0~5V,0.5~4.5V等。2)压控范围:压控电压在电压范围内变化的时候,振荡器的频率能够变化的范围。3)极性:当振荡器的频率随压控电压的增加而增加的时候,压控极性为正极性,反之为负极性。
温补晶振恒温贴片晶振选用俄罗斯莫里恩(Motion)公司的低漂移、低相噪薄型双恒温槽超精密恒温晶体振荡器OCXOMV180。该
恒温晶振输出标准频率为10MHz的正弦波负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容，短期稳定度小于2x10-12／秒，年老化率为±1×10-8／年，对周围环境变化敏感度低，长期温度-频率稳定度可达±1×10-10，还提供了一个直流电压控制端。通过向压控端施加一个0～+5V的直流电压，可使该恒温晶振有±5Hz左右的频率调整范围，控制电压与晶振频率的近似关系。
温补晶振1.近端仍旧是电路的噪声在起主要作用，高Q值晶体的效果没有得到发挥。2.晶体的有载Q值比空载Q值下降很多，以至于各种晶体的有载Q值差别不大，所以相噪相差不大温补晶振权利要求1.一种提高恒温晶振频率稳定度的方法，其特征在于:所述方法包括以下步骤:恒温晶振内部选定探测点，将温度探测线一端的电极粘接在探测点上，温度探测线的另一端通过数据采集器连接至计算机上，并按照探测线的序号记录各探测点的名称及位置；恒温晶振安装在测试夹具上，并接上数字电流表和频率计数器后，将其放入恒温箱内；置恒温箱的测试温度范围及测试温度点，在此温度范围内对恒温晶振各探测点的温度进行采集，录入计算机，同时记录恒温晶振在每个测试温度点相应的输出频率以及电流值。。总结来说，在低噪声晶振的设计中，电路是非常重要的环节，振荡电路应该要使晶体的有载Q值不致下降很多，并且电路附加的噪声要足够小。一般性的设计中，不必一味追求晶体的高Q值（对老化率有要求的除外），用低成本的晶体加上设计良好的电路（电路的成本也许只要几元钱）也能得到不错的相位噪声水平。
