3)调节方式有机械调节和电压调节两种4)可变元件通常指变容二极管、多圈电位器等。4)工作温度范围(Operatingtemp.range)IEC标准定义:振荡器能够正常工作,其频率及其它输出信号性能均不超过规定的允许偏差的温度范围。注:tcxo晶振作为
恒温晶振OCXO或
温补晶振TCXO,常用的有100M晶振，而100MHz是一个常用的频率tcxo晶振
陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA至60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。时钟电路晶振与时钟IC芯片主板时钟芯片电路提供给CPU，主板芯片组和各级总线（CPU总线，AGP总线，PCI总线，PCIE总线等）和主板各个接口部分基本工作频率，有了它，计算机才能在CPU控制下，按步就班，协调地完成各项功能工作：1.晶振的工作原理：主板时钟芯片即分频器的原始工作振荡频率，由石英晶体多谐振荡器的谐振频率来产生，晶振其实是一个频率产生器，他主要把传进去的电压转化为频率信号。提供给分频率一个基准的14.318MHZ的振荡频率，它是一个多谐振荡器的正回馈环电路，也就是说它把输入作为输出，把输出作为输入的回馈频率，象这样一个永无休止的循环自激过程。。从切型和振动模式来看，常用的有以下3种晶体：AT切3次泛音、AT切5次泛音、SC切5次泛音。前一种通常用来制作温补晶振TCXO,后2种用来制作恒温晶振OCXO.这是因为：依照文中方案设计两套完全独立的系统，以其中一套系统的恒温晶振的时钟信号为基准，每秒与另一套系统的恒温晶振的时钟信号对比一次，相位差用300MHz的时钟进行量化，测量分辨力为3．3ns，部分测试结果如图7所示。图7(a)显示每秒测得的相位差；由于存在测量误差，因此采用滑动平均滤波的方法，在每秒测量两套系统相位差的同时，计算出最近200次的平均相位差，如图7(b)所示。表2对图7的实际测量数据进行统计，7(b)中的均方差是0．68度，四分位差为O．60度，说明两套独立系统的频率一致性很高，具有良好的稳定度。
tcxo晶振2.温补晶振TemperatureCompensatedCrystalOscillator（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容。一般模拟式温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用。
tcxo晶振一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等tcxo晶振2[频域表征]⑴?单边相位噪声功率谱密度，晶振输出信号的频谱中，用偏离载频fHz处每Hz带宽内单边相位噪声功率与信号功率之比的分贝（dB）量，可写作￡（f）单位为dB/Hz。⑵?频谱纯度：是量度晶振内部噪声及杂散谱的尺度。通常用单边噪声功率谱密度来表示。。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。
