电子式体温计工作原理：电子式体温计利用某些物质的物理参数(如电阻、电压、电流等)与环境温度之间存在的确定关系，将体温以数字的形式显示出来，读数清晰，居家携带方便。电子体温计内的晶振作用：陶瓷谐振器是指产生谐振频率的陶瓷外壳封装的电子元件，起产生频率的作用，具有稳定，抗干扰性能良好的特点，广泛应用于各种电子产品中；比石英晶体谐振器的频率精度要低，但成本也比石英晶体谐振器低，它重要起频率控制的作用，所有电子产品涉及频率的发射和接收都需要谐振器。
压控晶振vctcxo作为
恒温晶振OCXO或
温补晶振TCXO,常用的有100M晶振，而100MHz是一个常用的频率压控晶振vctcxo
一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的晶振还没正常工作怎么用？。从切型和振动模式来看，常用的有以下3种晶体：AT切3次泛音、AT切5次泛音、SC切5次泛音。前一种通常用来制作温补晶振TCXO,后2种用来制作恒温晶振OCXO.这是因为：在晶振通电稳定后，晶体的老化漂移呈现非常有规律且重复性非常好的类抛物曲线，采取简单的线性补偿就可以提升1~2个数量级。如要对晶振老化漂移优化，需要得到晶振在上级时钟良好、时钟板处于锁定状态下的漂移，通过读取锁定电压值即可。需要特别注意的是，这个锁定值会在晶振老化漂移的基础上叠加晶振温度特性的影响，如果晶振温度漂移特性超过老化漂移时，即便采取平滑手段也很难得到老化真正的漂移特性，或者得到的不够准确，也会带来晶振老化优化提升不足。
压控晶振vctcxo温补晶振：TCXO，普通的振荡器内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm可以实现式中,do、d为正数,参数aj(n),j=1,2,…,M由当前数据输入和上次数据输出迭代估计得到,价值函数为通过最小化价值函数,可以得到参数a,(n),j=1,2,…,M,得到t(n)时刻的aoa1…aM后,t(n+l)时刻的相对频率偏差预测值为:。消耗电流一般小于几十mA。是最常见的高精度的产品。在通讯终端中很常见。更好的如EPSON(爱普生)TG-5500CA系列温补晶振已经实现0.1ppm的高精度和20年的高稳定性。
压控晶振vctcxo恒温石英晶体振荡器温度特性试验的升温速率是有标准的.简要说明如下：一、环境试验箱温度应按阶梯（或按规定速率直线）式升高,并在每次温度调整时都要有规定的稳定时间．注：在某些应用场合．可能要求测定从最低温度升到最高温度与从最高温度降劐最低温度之间频率温度特性的再现性.二、在升温和降温时的特性差称为重现误差(relltoeerror)或滞后(hysteresis)三、在振荡器输入功率受强制气流影响时压控晶振vctcxo负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容,可使用挡风箱来模拟静态空气条件．四、对于直线升温试验,除非在详细规范另有说明,其温度变化速率应低0.5℃/min.五、对于不连续升温试验,如果没有给出明确温度值,其递增梯阶,应不超过1.5℃并且在每调一次环境温度都应有适当的稳定时间．六、除非详细规范另有规定,振荡器达到稳定所需的时间总要超过温度稳定时间的二倍.
