8.根据权利要求6所述的一种提高
恒温晶振频率稳定度的方法，其特征在于:所述步骤S3中，测试温度点依次为-40O、-30O、-20O、-10O、OO、10O、20V、30O、40V、50O、60°C、70°C、8(rC和85°C;利用计算机记录恒温晶振在各测试温度点的数据时，将恒温晶振在_40°C保持30分钟，在其它13个温度点各保持15分钟。
压控晶振vctcxo恒温晶振得主要优点是:由于采用了恒温槽的技术,频率温度特性会在所有类型晶振之中是最好得;由于电路设计很精密压控晶振vctcxo
陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA至60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。时钟电路晶振与时钟IC芯片主板时钟芯片电路提供给CPU，主板芯片组和各级总线（CPU总线，AGP总线，PCI总线，PCIE总线等）和主板各个接口部分基本工作频率，有了它，计算机才能在CPU控制下，按步就班，协调地完成各项功能工作：1.晶振的工作原理：主板时钟芯片即分频器的原始工作振荡频率，由石英晶体多谐振荡器的谐振频率来产生，晶振其实是一个频率产生器，他主要把传进去的电压转化为频率信号。提供给分频率一个基准的14.318MHZ的振荡频率，它是一个多谐振荡器的正回馈环电路，也就是说它把输入作为输出，把输出作为输入的回馈频率，象这样一个永无休止的循环自激过程。,其短稳与相位噪声都会比较好.主要的缺点是需5分钟左右得加热时间才可以正常的工作.所以在测试恒温晶振之时会需对其进行开机5分钟的测试,测试指标包括了:5.电压控制－温补晶体振荡器（VCTCXO）温度补偿晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。?6.电压控制－恒温晶体振荡器（VCOCXO）恒温晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。7.带热敏电阻的晶体-?Temperature?Sensing?Crystal?(TSX)?
压控晶振vctcxo恒温晶振(OCXO)介绍：恒温晶体采用精密控温，使电路元件及晶体工作在晶体的零温度系数点的温度上晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。。中精度产品频率稳定度为10-7~10-8，高精度产品频率稳定度在10-9量级以上。主要用作频率源或标准信号。
压控晶振vctcxo恒温石英晶体振荡器温度特性试验的升温速率是有标准的.简要说明如下：一、环境试验箱温度应按阶梯（或按规定速率直线）式升高,并在每次温度调整时都要有规定的稳定时间．注：在某些应用场合．可能要求测定从最低温度升到最高温度与从最高温度降劐最低温度之间频率温度特性的再现性.二、在升温和降温时的特性差称为重现误差(relltoeerror)或滞后(hysteresis)三、在振荡器输入功率受强制气流影响时压控晶振vctcxo特殊领域的应用如果找不到合适的晶振，也就是说设计的复杂性超出了市场上成品晶振水平，就必须自己设计了，这种情况下就要选用晶体了，不过这些晶体肯定不是市场上的普通晶体，而是特殊的高端晶体，如红宝石晶体等等。,可使用挡风箱来模拟静态空气条件．四、对于直线升温试验,除非在详细规范另有说明,其温度变化速率应低0.5℃/min.五、对于不连续升温试验,如果没有给出明确温度值,其递增梯阶,应不超过1.5℃并且在每调一次环境温度都应有适当的稳定时间．六、除非详细规范另有规定,振荡器达到稳定所需的时间总要超过温度稳定时间的二倍.
