(6)恒温箱一台，温变速率可控；(7)计算机以及相应软件；(8)电源及其他连接线。本发明的具体实施步骤包括:S1.在
恒温晶振内部选定温度探测点:恒温晶振的上盖开孔；在恒温晶振内部选定包括晶体谐振器位置、功率管位置、热敏电阻位置、变容二极管位置及振荡电感位置5个位置，每个位置选2至3个点，探测点的数目根据孔的大小和温度探测线的线径确定。因为线(探测点)太多会对恒温晶振内部的温度场产生影响，线(探测点)太少恒温晶振的内部热量可能从上盖孔往外散发，都会影响测试效果；打开恒温晶振上盖，将温度探测线穿过恒温晶振上盖上的孔，用高温胶将温度探测线的电极粘接在选定的探测点上，粘接好后，按照线的序号登记探测点位置，盖上恒温晶振上盖，尽量做好密封处理。ocxo晶振对于石英晶振，一般需要控制以下三点要求：1、一般情况下烙铁头温度控制在300℃左右，热风木仓控制在200℃～400℃。2、焊接时不允许直接加热贴片晶振引脚的脚跟以上部位，以免损坏晶振内部电容ocxo晶振
石英晶片的切型大致可以分为AT切、BT切、CT切、DT切等，不同的切型，所对应的频率温度曲线不一样，可以采用AT切32.768KHZ钟振来解决难题。音叉32.768KHZ晶体频率温度曲线为二次抛物线，随着工作温度偏离常温25℃越远，温漂也随之变大，-10℃~60℃其温漂达到将近50ppm，如按工业级-40℃~85℃计算，温漂高达151ppm，难以适应工业级工作温度范围的电子产品，对其进行温度补偿也较为困难，因此，市面上针对32.768KHZ的TCXO很少，且价格极为昂贵。对于一般的消费类电子行业，如需工业级-40℃~85℃，且温度频差控制在±30ppm以内，使用普通音叉型32.768KHZ晶体，是无法满足要求的。然而，如果能将晶片切型改为AT切的切型，那么工业级温度频差控制在±30ppm以内将不成问题。。3、需要使用∮0.3mm～∮0.5mm的焊锡丝；烙铁头始终保持光滑，无钩，无刺；烙铁头不得重触焊盘，不要反复长时间在一焊盘加热，常规晶振的工作温度一般在-40℃～85℃。长时间对焊盘加热可能会超过晶振工作温度范围，造成石英晶振寿命减少甚至损坏。为了避免谐振器损坏请各大客户在焊接过程中多加注意，以避免造成产品性能不稳定。10）输出功率：施加规定电压和规定负载下，振荡器消耗的电能，用电压与消耗电流的积表示；11）输出电压（正弦波）：施加规定的电压和负载，在规定的时间内达到稳定后，用RF表测得的有效值或用示波器测量电压峰-峰值后换算的有效值。
ocxo晶振
温补晶振，由于晶体振荡器的震荡制频率会随着温度的变化而变化3.
压控晶振VoltageControlledCrystalOscillator（VCXO）：是一种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器，主要用于锁相环路或频率微调。压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所用变容二极管及晶体参数两者的组合，为了抵消温度对晶振频率的影响，控zhidao制晶振的谐振电容随温度变化而变化，抵消温度晶体影响提高频率稳定性一般的恒温晶振可以做的比温补晶振精度更好。
ocxo晶振3、输出波形：有正弦波和方波两种。4、?输出幅度：在接入额定负载的规定条件下，晶振输出的均方根值电压ocxo晶振5.电压控制－温补晶体振荡器（VCTCXO）温度补偿晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。?6.电压控制－恒温晶体振荡器（VCOCXO）恒温晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。7.带热敏电阻的晶体-?Temperature?Sensing?Crystal?(TSX)?。5、?频率温度特性：当环境温度在规定范围内按预定方式变化时，晶振的输出频率产生的相对变化特性6、?压控线性度：指压控晶振输出频率与压控电压曲线偏离线性的程度。
