⒋时钟发生器的工作原理：时钟我们可以把他定义为各个部件的总线频率速度，他起着分配给各个部件的频率使他们能够正常工作。当晶振通电后发出的频率送入时钟IC芯片，它的各脚会传出相对应的频率通个时钟IC芯片旁边的电阻（时钟IC芯片旁边左右两边一排的小电阻基本为220=22欧，330=33欧）。而内存，与AGP这些高速的时钟是由北桥内部提供给它的，（注有些主板AGP时钟不是由北桥提供的）将频率信号分配到主板各个部件，如（PCI33M，CPU100M133M200MI/O48M和14M，南桥33M&14M北桥100M7&133M&200M
恒温晶振一种提高恒温晶振频率稳定度的方法技术领域：本发明涉及电子材料领域的恒温晶振，具体涉及一种恒温晶振内部温度提高恒温晶振频率稳定度的测试方法。背景技术：高稳定度晶振是计量的基础，利用恒温槽将晶体的温度保持在一定的温度范围内做成的晶振就是恒温晶振，高稳定度的恒温晶振是目前广泛使用的产品中用得比较多的，特别是稳定度为10E-9\10E-10这个量级的晶振，基本都是恒温晶振恒温晶振
晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立RC振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。功耗选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。。为了提高恒温晶振的频率稳定度，在恒温晶振设计尤其是恒温晶振的热槽结构设计时，准确了解恒温晶振内部各关键点的确切温度，是业界一直努力的一个方向。我国在恒温晶振的设计理论方面走了几十年的历史，有很大进步，但设计高稳定度的晶振一直依靠设计者的经验、研究国外的样品、理论计算和个人感觉等因素，对恒温槽内的恒温情况没有做实际的测试，导致了设计成本增加、周期长、技术经验等不足。4)对不同厂家的产品,尤其是来自不同国家的产品,有一些指标的测试方法不尽相同,应提前了解各厂家的异同点,统一意见,以减少不必要的麻烦。5)对一些短期指标如频率精度,开机特性等,应多做几次重复的测试,以减少测试结果的偶然性。
恒温晶振2.
温补晶振TemperatureCompensatedCrystalOscillator（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器晶振频率：1[时域表征]⑴?在规定条件下，晶振内部元件由于老化而引起的输出频率随时间的漂移。通常用某一时间间隔内的老化频差的相对值来量度（如日、月或年老化率等）。⑵?日稳定度（或称日波动）：指晶振的输出频率在24小时内的变化情况。通常用其最大变化的相对值来表示。。一般模拟式温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用。
恒温晶振无论是恒温晶振还是温补晶振无非就是个信号源，为你的设备提供一个时间基准设置恒温箱的初始温度为25°c，恒温晶振在此条件下加电工作I小时后再开始测试。S3.设置恒温箱的测试温度范围为-40V至85°C，测试温度点依次为-4(rc、-3(rc、-2(rc、-1(rc、(rc、i(rc、2(rc、3(rc、4(rc、5(rc、6(rc、7(rc、8(rc和85°c；从-40°C开始测试，设定恒温箱的温变速率为1°C/min，在恒温箱的温度首次降为_40°C时保持30分钟才做测试；利用计算机采集并记录恒温晶振在各测试温度点的温度、输出频率以及电流值时，将恒温晶振在_40°C保持30分钟，在其它13个温度点各保持15分钟。。只要你了解它性能指标你就可以相互代用恒温晶振。牧羊说的很不错，如果你是想用恒温的替换温补的那不现实恒温晶振的工作温度不能超过75℃而温补的却能做到85℃。
