恒温晶振OCXO选型和采购时应该注意的问题1)不要一味追求高指标,因为高指标意味着成本大幅度增加,交货期加长;2)注意封装的可替代性,尽量不选用非标准封装;3)尽量不要压缩交货期限;4)了解厂家情况的时候,应该着重考察厂家的晶体来源、工艺控制能力;tcxo晶振恒温晶体振荡器简称恒温晶振，英文简称为OCXO（OvenControlledCrystalOscillator），是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定
每种芯片的手册上都会提供外部晶振输入的标准电路，会表明芯片的最高可使用频率等参数，在设计电路时要掌握。与计算机用CPU不同，单片机现在所能接收的晶振频率相对较低，但对于一般控制电路来说足够了。晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器tcxo晶振。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻“电桥“构成的差动串联放大器，来实现温度控制。一般的恒温晶振要比
温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的晶振还没正常工作怎么用？
tcxo晶振负载电容可以在振荡器电路设计中发挥关键作用。在下一个设计注意事项中，您将看到一个负载电容重要性的示例，但现在，让我们仔细研究一下负载电容本身5.电压控制－温补晶体振荡器（VCTCXO）温度补偿晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。?6.电压控制－恒温晶体振荡器（VCOCXO）恒温晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。7.带热敏电阻的晶体-?Temperature?Sensing?Crystal?(TSX)?。负载电容被描述为在电路中晶体端子两端测量或计算的电容量。对于串联电路，晶振电路的连接点之间没有电容。因此，电路中没有负载电容。并联电路则是另一回事。要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素3中进行了描述)，请使用以下便捷公式：
tcxo晶振1.近端仍旧是电路的噪声在起主要作用，高Q值晶体的效果没有得到发挥。2.晶体的有载Q值比空载Q值下降很多，以至于各种晶体的有载Q值差别不大，所以相噪相差不大tcxo晶振负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容。总结来说，在低噪声晶振的设计中，电路是非常重要的环节，振荡电路应该要使晶体的有载Q值不致下降很多，并且电路附加的噪声要足够小。一般性的设计中，不必一味追求晶体的高Q值（对老化率有要求的除外），用低成本的晶体加上设计良好的电路（电路的成本也许只要几元钱）也能得到不错的相位噪声水平。
