为了试验晶体的Q值与相位噪声之间的关系，选择了100M晶振的3种晶体进行试验。3种晶体如下：A.AT切3次泛音，Q值约为50K（UM1封装）。B.AT切5次泛音，Q值约为90K（UM1封装）。C.SC切5次泛音，Q值约为130K（35U封装）。晶振作为
恒温晶振OCXO或
温补晶振TCXO,常用的有100M晶振，而100MHz是一个常用的频率晶振
5)如果可能的话,应允许在研发阶段就让厂家参与到指标的确认工作中。恒温晶振、温补晶振主要技术指标定义的IEC标准1)标称频率(Nominalfrequency)IEC标准定义:石英晶体振荡器标明的工作频率。。从切型和振动模式来看，常用的有以下3种晶体：AT切3次泛音、AT切5次泛音、SC切5次泛音。前一种通常用来制作温补晶振TCXO,后2种用来制作恒温晶振OCXO.这是因为：晶振1、每一个单独指标必须单独测试，不能同时测试几种指标，也不能同时测试几只晶振。2、测试时要严格按照标准的测试电路和测试环境进行测试晶振
一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的晶振还没正常工作怎么用？无论是恒温晶振还是温补晶振无非就是个信号源，为你的设备提供一个时间基准。只要你了解它性能指标你就可以相互代用。。3、在没有相当的测试设备和测试人员的情况下，不建议客户自行测试晶振，更不能随意调试晶振，测试设备的等级应至少比晶振指标高一个数量级。
晶振温补晶振，TCXO，普通的振荡器内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm晶振即：使用3E晶振在不做算法优化下，时钟只能保持0.6个小时漂移在1.5μS以内。做算法优化算法优化分为温度特性优化以及老化率优化。晶振的温度特性漂移速度以及漂移量取决于晶振所处的环境温度点、环境的温变速度、设备机箱的温度传递速度以及晶体的迟滞特性，晶振频率漂移与温度变化的关系类似于一个加速阻尼振荡，是个5次函数关系，而温度传感器对于温度变化的响应速度是非常快的，如要简单依赖温度传感器对晶振的温度特性做优化，会带来温度补偿超前或滞后，导致频率晃动加上，短稳、抖动指标都将恶化，而且优化系统很难预知其他温度点晶振的漂移值。。消耗电流一般小于几十mA。是最常见的高精度的产品。在通讯终端中很常见。恒温晶振，OCXO，在特制的晶体周围包有振荡电路和恒温电路，频率稳定度可以达到+/-0.01ppm。消耗电流一般300mA~2A。主要应用于卫星，通讯基站等。
