一般的
恒温晶振要比
温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的晶振还没正常工作怎么用？无论是恒温晶振还是温补晶振无非就是个信号源，为你的设备提供一个时间基准。只要你了解它性能指标你就可以相互代用。
温补晶振恒温晶体振荡器具有很大的频率输出稳定性，恒温槽能使晶振的温度保持恒定温补晶振
，使得外部温度的变化对震荡器的频率输出变化削减到最小。从中我们可以看出，恒温晶振能在很极端的条件下使用。第二种3E晶振：温度稳定度5E-8（-30~70℃）年老化1E-7日老化1E-9不做算法优化一般在有空调的密闭环境下，24小时的环境温度变化大约为±2度，5小时的环境温度变化大约为1度。对于2B晶振温度漂移=（3E-9/（30+70））*1=0.3E-10
温补晶振不存在哪种产品好哪种产品不好，主要是看需要。性能高的产品价格必然贵，对使用的需求也高问：我发现在使用晶振时会和它并一个电阻，一般1M以上，我把它去掉，板子仍可正常工作，请问这个电阻有什么用？可以不用吗？我有看到过不用的！不理解~答：这个电阻是反馈电阻，是为了保证反相器输入端的工作点电压在VDD/2，这样在振荡信号反馈在输入端时，能保证反相器工作在适当的工作区。虽然你去掉该电阻时，振荡电路仍工作了。但是如果从示波器看振荡波形就会不一致了，而且可能会造成振荡电路因工作点不合适而停振。所以千万不要省略此电阻。这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区，以获得增益，在饱和区是没有增益的，而没有增益是无法振荡的。如果用芯片中的反相器来作振荡，必须外接这个电阻，对于CMOS而言可以是1M以上，对于TTL则比较复杂，视不同类型（S,LS…）而定。。适用的才是最好的。理论上来讲一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而温补晶振的开机特性较好。
温补晶振恒温石英晶体振荡器温度特性试验的升温速率是有标准的.简要说明如下：一、环境试验箱温度应按阶梯（或按规定速率直线）式升高,并在每次温度调整时都要有规定的稳定时间．注：在某些应用场合．可能要求测定从最低温度升到最高温度与从最高温度降劐最低温度之间频率温度特性的再现性.二、在升温和降温时的特性差称为重现误差(relltoeerror)或滞后(hysteresis)三、在振荡器输入功率受强制气流影响时温补晶振3.根据权利要求1所述的一种提高恒温晶振频率稳定度的方法，其特征在于:所述步骤SI中，恒温晶振内部选定的探测点包括晶体谐振器位置、功率管位置、热敏电阻位置、变容二极管位置及振荡电感位置，并且每个位置选2至3个点。,可使用挡风箱来模拟静态空气条件．四、对于直线升温试验,除非在详细规范另有说明,其温度变化速率应低0.5℃/min.五、对于不连续升温试验,如果没有给出明确温度值,其递增梯阶,应不超过1.5℃并且在每调一次环境温度都应有适当的稳定时间．六、除非详细规范另有规定,振荡器达到稳定所需的时间总要超过温度稳定时间的二倍.
