R5将运放输出的电压转化为晶体管基极的电流，不可过大或过小。Q3、R6组成限流电路，限制加热电路的最大电流。最大电流估算为0.6V/1.2欧姆=0.5A。超过此电流时，R6上的压降使Q3导通，从而泄放掉过多的基极电流，使晶体管的电流不再升高。此限流电路较简单，但最大电流会随着Q3晶体管的温度变化。ocxo晶振所谓恒温晶体振荡器简称“
恒温晶振”，主要是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器ocxo晶振
负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻"电桥"构成的差动串联放大器，来实现温度控制。恒温晶振具备低作用，快速启动，低电压工作，低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V。许多TCXO和VCXO产品，电流损耗不超过2mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。ocxo晶振恒温晶体振荡器电路晶振当前温度对应的电压与标称电压值通过温控放大器进行差放,驱动发热元件使槽内晶体温度总是保持在其高温拐点,这样的晶振称为恒温晶振ocxo晶振
恒温晶振是将石英晶体装入一个保温箱中，并将其温度加温到石英晶体温度曲线高温拐点温度，使晶体始终工作在恒温环境中。有些高端恒温晶振还要加双层恒温槽，以达到更高的精度。
温补晶振是利用热敏电阻搭成温补网络，通过计算来补偿石英晶体温度频率曲线使其平滑，来实现在宽温度范围的频率稳定度。一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。。与前面所述各种晶振相比,此是最为稳定的种晶振。它基于冷压焊晶体和内热式晶体,相应的振荡器便称为冷压焊晶体振荡器和内热式晶体振荡器。
ocxo晶振1.近端仍旧是电路的噪声在起主要作用，高Q值晶体的效果没有得到发挥。2.晶体的有载Q值比空载Q值下降很多，以至于各种晶体的有载Q值差别不大，所以相噪相差不大ocxo晶振1.晶体A的电路没有恒温，热噪声较低。2.晶体A是三次泛音晶体，虽然Q值低，但谐振阻抗RS也低，因此主振级输出幅度较大，信噪比提高。再来看近端10HZ处的相噪，几种晶体没有太大的区别，恒温和非恒温也没有什么区别。一般上理论认为，晶振的相位噪声，近端取决于晶体，远端取决于电路。近端相位噪声正比于晶体Q值的4次方。这点在我的试验中没有得到体现。我认为可能的原因在于：。总结来说，在低噪声晶振的设计中，电路是非常重要的环节，振荡电路应该要使晶体的有载Q值不致下降很多，并且电路附加的噪声要足够小。一般性的设计中，不必一味追求晶体的高Q值（对老化率有要求的除外），用低成本的晶体加上设计良好的电路（电路的成本也许只要几元钱）也能得到不错的相位噪声水平。
