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温补型晶振产品
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深圳温补晶振指标

发布时间:2021-12-15   点击量:413

3、时钟信号走线长度尽可能短,线宽尽可能大,与其它印制线间距尽可能大,紧靠器件布局布线,必要时可以走内层,以及用地线包围;4、通过背板从外部引入时钟信号时有特殊的设计要求,需要详细参考相关的资料。此外还要做一些说明:

温补晶振理论上讲,如果恒温晶振与温补晶振的输出信号频率一致,并且端接负载相同,输出信号幅度又差不多的话,是可以互换的温补晶振

。但是恒温晶振与温补晶振的应用与性能是完全不同的。恒温晶振与温补晶振都是在较宽的温度范围内输出一个较稳定的信号频率,但其工作方式不同。对于3E晶振温度漂移=(5E-8/(30+70))*1=5E-105小时老化漂移=(1E-9/24)*5=2.1E-10所以保持指标达到1.5μS的小时=((1.5*10E10/10E6)/(60*60))/(5+2.1)=0.6H

温补晶振温补晶振,由于晶体振荡器的震荡制频率会随着温度的变化而变化问:我发现在使用晶振时会和它并一个电阻,一般1M以上,我把它去掉,板子仍可正常工作,请问这个电阻有什么用?可以不用吗?我有看到过不用的!不理解~答:这个电阻是反馈电阻,是为了保证反相器输入端的工作点电压在VDD/2,这样在振荡信号反馈在输入端时,能保证反相器工作在适当的工作区。虽然你去掉该电阻时,振荡电路仍工作了。但是如果从示波器看振荡波形就会不一致了,而且可能会造成振荡电路因工作点不合适而停振。所以千万不要省略此电阻。这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区,以获得增益,在饱和区是没有增益的,而没有增益是无法振荡的。如果用芯片中的反相器来作振荡,必须外接这个电阻,对于CMOS而言可以是1M以上,对于TTL则比较复杂,视不同类型(S,LS…)而定。,为了抵消温度对晶振频率的影响,控zhidao制晶振的谐振电容随温度变化而变化,抵消温度晶体影响提高频率稳定性一般的恒温晶振可以做的比温补晶振精度更好。

温补晶振由晶体SJT连接在A1的输入和输出端之间,用以提供反馈回路,在晶体的基频上产生振荡。这个简单又廉价的晶体振荡器由74LS04的两个门及外围元件组成,电路如图3所示:电阻R1和R2将两个反相器F1、F2偏置在线性范围内,并由晶体SJT提供反馈回路,其在晶体的基频上产生20MHz振荡频率,然后由反相器F3送至由74LS74构成的D型触发器进行分频温补晶振5)、稳定时间:振荡器从初始加电到稳定工作在规定极限值所需要的时间;6、相位噪声:是指信号功率和噪声功率的比率(C/N),是表征频率颤抖的技术指标。在对预期信号既定补偿处,以1Hz带宽为单位来测量相位噪声;。若要进行二分频或四分频、八分频等,则需遵循2n分频规律(n为级数)。n=1,则21=2分频,即将20MHz经A1=分频电路后,Q1输出10MHz;若四分频,n=2,则22=4分频,即将20MHz经A1、A2四分频电路后,Q2输出5MHz;若进行三分频,当f第三个脉冲过后,Q1=1,Q2=1,这时Q1ˉ=0,Q2ˉ=0,或非门HF1输出为1,至R端复位,将Q1、Q2复位为00,结果经A1、A2三分频后,Q2输出约6.7MHz;若需五分频,当计数为5时,Q1Q2Q3=101,即Q1ˉ=0,Q3ˉ=0,或非门HF2输出为1,将Q1、Q2、Q3复位为000,结果Q3输出4MHz频率。
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