因此对其进行温度补偿时要采用具有非线性函数拟合能力的数学模型。然而由于OCXO
恒温晶振中一般采用SC切晶体,虽然其频率一温度变化曲线也是非线性的,但是其频率一温度稳定度在宽温度范围内较AT切晶体有很大改善,并且由于它将石英晶体、振荡电路以及部分其它线路置于精密恒温槽中,恒温槽的工作温度选择在所用晶体的零温度系数点处,因此OCXO恒温晶振的频率温度系数非常小。cimake晶振一种提高恒温晶振频率稳定度的方法技术领域：本发明涉及电子材料领域的恒温晶振，具体涉及一种恒温晶振内部温度提高恒温晶振频率稳定度的测试方法。背景技术：高稳定度晶振是计量的基础，利用恒温槽将晶体的温度保持在一定的温度范围内做成的晶振就是恒温晶振，高稳定度的恒温晶振是目前广泛使用的产品中用得比较多的，特别是稳定度为10E-9\10E-10这个量级的晶振，基本都是恒温晶振cimake晶振
在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。振荡器模块上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成硅振荡器。。为了提高恒温晶振的频率稳定度，在恒温晶振设计尤其是恒温晶振的热槽结构设计时，准确了解恒温晶振内部各关键点的确切温度，是业界一直努力的一个方向。我国在恒温晶振的设计理论方面走了几十年的历史，有很大进步，但设计高稳定度的晶振一直依靠设计者的经验、研究国外的样品、理论计算和个人感觉等因素，对恒温槽内的恒温情况没有做实际的测试，导致了设计成本增加、周期长、技术经验等不足。即：使用3E晶振在不做算法优化下，时钟只能保持0.6个小时漂移在1.5μS以内。做算法优化算法优化分为温度特性优化以及老化率优化。晶振的温度特性漂移速度以及漂移量取决于晶振所处的环境温度点、环境的温变速度、设备机箱的温度传递速度以及晶体的迟滞特性，晶振频率漂移与温度变化的关系类似于一个加速阻尼振荡，是个5次函数关系，而温度传感器对于温度变化的响应速度是非常快的，如要简单依赖温度传感器对晶振的温度特性做优化，会带来温度补偿超前或滞后，导致频率晃动加上，短稳、抖动指标都将恶化，而且优化系统很难预知其他温度点晶振的漂移值。
cimake晶振有源晶振常用电压常用电压的有1.8V，3.0V，3.3V，5.0V，比较常用的3.3V电压。对于有源晶振的电压参数，一般无法直观的看出来，但在晶振印字上可以看到对于的电压参数、晶振频率、型号等晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。。不同的晶振型号的印字表示大致一样，建议是问一下晶振厂家技术人员，防止购买后使用不了。有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。相对于无源晶振来说，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平。
cimake晶振本文小结从上述计算结果可以看出不论是否采取时钟优化手段，晶振良好的温度稳定度对时钟保持指标其到至关重要的作用cimake晶振5.电压控制－温补晶体振荡器（VCTCXO）温度补偿晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。?6.电压控制－恒温晶体振荡器（VCOCXO）恒温晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。7.带热敏电阻的晶体-?Temperature?Sensing?Crystal?(TSX)?。此外，晶振的温度特性取决于晶振的控温/补偿精度，所占晶振的成本大约10%,基本上取决于晶振厂家的设计水准。
