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温补晶振（TCXO）温补晶振是一种带有补偿系统的减小温度引起的频率变化的石英晶体振荡器。（补偿的方法：电抗法、数字法）特点：用热敏补偿网络来提高石英晶体的温度特性指标，可满足较宽温度范围的需要；频率范围：1～40MHz;频率稳定度：5×10-6～5×10-7。
压控晶振vctcxo作为
恒温晶振OCXO或温补晶振TCXO,常用的有100M晶振，而100MHz是一个常用的频率压控晶振vctcxo
如果是芯片指定的晶振引脚，如在某些微处理器中，常常可以不加，因为芯片内部已经制作了，要仔细阅读DATASHEET的有关说明。和晶振并联的电阻作为负载，一般1M欧。也有和晶振串联的电阻为谐振电阻。。问：晶振的参数里有配用的谐振电容值。比如说32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF.这个值和实际电路中晶振上接的两个电容值是什么关系？像DS1302用的就是32.768K的晶振，它内部的电容是6pF的答：你所说的是晶振的负载电容值。指的是晶振交流电路中，参与振荡的，与晶振串联或并联的电容值。晶振电路的频率主要由晶振决定，但既然负载电容参与振荡，必然会对频率起微调作用的。。从切型和振动模式来看，常用的有以下3种晶体：AT切3次泛音、AT切5次泛音、SC切5次泛音。前一种通常用来制作温补晶振TCXO,后2种用来制作恒温晶振OCXO.这是因为：输出幅度都在9dBm左右。测试相噪结果如下：要从理论上来解释这个结果，有些困难甚至有些牵强。不过我还是尝试一下。先看远端10KHz以外的相噪，晶体C最好，这或许是因为使用了较高的电源电压，因此输出信噪比较好。晶体A与B相比，A的远端相噪较好，这可能是基于以下2点：
压控晶振vctcxo2.温补晶振TemperatureCompensatedCrystalOscillator（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。。一般模拟式温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用。
压控晶振vctcxo一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等压控晶振vctcxo6、SMD集成晶振SMD集成晶振采用集成电路技术做成表面贴装的各种微小型化的晶体振荡器。特点：把石英晶片和集成电路组合在一起制作成微型的、表面贴装化的新型器件(SMD);频率范围：3.5～110MHz；频率稳定度：10-4～10-7；有SMD普通晶振，SMD温补晶振，SMD压控晶振等。。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。
