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压控晶振VoltageControlledCrystalOscillator（VCXO）：是一种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器，主要用于锁相环路或频率微调。压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所用变容二极管及晶体参数两者的组合
晶振定制所谓恒温晶体振荡器简称“
恒温晶振”，主要是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器晶振定制
对于一些新手采购从业者而言，常见的采购形式是直接发型号或频率询价订货，仅凭借型号或频率，其他信息都一概不知的情况下要报价，这种情况下很难让厂商准确的报价。作为从事多年晶振行业的小扬，今天给大家说说几点采购晶振必备常识。首先了解到产品频率之后就应该了解到晶振封装尺寸参数，以及对于产品使用晶振有没有什么硬性指标要求，如进口晶振还是国产晶振、有源还是无源、接不接受替代等等。。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻"电桥"构成的差动串联放大器，来实现温度控制。恒温晶振具备低作用，快速启动，低电压工作，低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V。许多TCXO和VCXO产品，电流损耗不超过2mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。即：使用2B晶振在做算法优化的前提下，时钟可以保持13.2个小时漂移在1.5μS以内。对于3E晶振（由于温度特性过于差，导致老化优化只能大约提升1个数量级）温度漂移=（5E-8/（30+70））*1=5E-10
晶振定制影响时钟保持指标关键器件--晶振的重要指标保持模式下的漂移=晶振的日老化+晶振日波动+晶振温度漂移+电源特性漂移其中晶振日波动漂移是由于环境温度在24小时存在大约±2度的变化导致晶振温度补偿超前或滞后带来的频率变化，主要取决于晶振的温度特性。系列实验表明,估计性能对d0、d和M的取值不是很敏感,建议取值为d=1~05d(M-1),d=0.1~1.0,M=5~10。加权对数函数模型的缺点是计算比较复杂。2.2.4晶振的频率温度特性除过老化的影响,温度也是影响频率变化的主要因素,而不同切型的石英晶振晶体的频率一温度特性是不一样的,一般AT切基频晶体的频率一温度变化关系都是三次曲线,存在若干个零温度系数点,如图2.6所示。
晶振定制而
温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程因此，晶体振荡器类型被分析为可以以更低的成本被硅MEMS振荡器完全替代。由于这一因素，预计在预测期内硅振荡器市场将呈现正增长。在硅振荡器中，时钟源是自己提供的。硅振荡器使用内部RC时间常数，并且不依赖于机械谐振特性来驱动振荡频率。硅MEMS振荡器在大多数频率下均很容易获得。而且，即使在非标准频率下，也可以在短时间内进行编程和使用。考虑到所有这些因素，预计未来几年对硅振荡器的需求将会增长。但是，预计硅时钟振荡器将支持新特性，例如扩频功能，但尚未完全与陶瓷谐振器技术结合。陶瓷谐振器技术已经得到充分发展并达到了技术极限，而硅时钟振荡器技术才刚刚起步，预计这将成为制约全球硅振荡器市场增长的主要因素。。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天晶振定制。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的晶振还没正常工作怎么用？
