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温补型晶振产品
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广东温补晶振代理商

发布时间:2020-06-03   点击量:710

温度漂移=(3E-9/(30+70))*1=0.3E-1012小时老化漂移=(3E-10/24)*12/100=0.02E-10所以保持指标达到1.5μS的小时=((1.5*10E10/10E6)/(60*60))/(0.3+0.015)=13.2H温补晶振6.完善的北斗和GPS信号的性能监测,自动或手动选择主用卫星信号。7.自保持能力强,时钟装置收不到卫星信号后,自守时能力优于7*10-9温补晶振

晶体振荡器电路设计的7个主要注意事项1.串联电路串联电路晶体振荡器使用设计为以其自然谐振频率工作的晶体。对于这种类型的电路,在反馈回路中不需要电容器。串联谐振振荡器电路是相当基本的,并且由于其元件数量少而通常被使用。串联电路可以提供除通过晶体以外的反馈路径。这意味着即使在晶体故障期间,电路也可能继续以主观频率振荡。。8.装置具有多个物理隔离的相互的10/100M网口(每个端口具有的MAC地址),多个端口可以灵活的配置使用,可以用在不断增长变化的网络环境中;还可用于不同的子网或不同的物理隔离的网络中。另外,还可用来作为NTP网管来使用,使两个物理隔离的网络共享时间服务器资源。系列实验表明,估计性能对d0、d和M的取值不是很敏感,建议取值为d=1~05d(M-1),d=0.1~1.0,M=5~10。加权对数函数模型的缺点是计算比较复杂。2.2.4晶振的频率温度特性除过老化的影响,温度也是影响频率变化的主要因素,而不同切型的石英晶振晶体的频率一温度特性是不一样的,一般AT切基频晶体的频率一温度变化关系都是三次曲线,存在若干个零温度系数点,如图2.6所示。

温补晶振负载电容可以在振荡器电路设计中发挥关键作用。在下一个设计注意事项中,您将看到一个负载电容重要性的示例,但现在,让我们仔细研究一下负载电容本身第二种3E晶振:温度稳定度5E-8(-30~70℃)年老化1E-7日老化1E-9不做算法优化一般在有空调的密闭环境下,24小时的环境温度变化大约为±2度,5小时的环境温度变化大约为1度。对于2B晶振温度漂移=(3E-9/(30+70))*1=0.3E-10。负载电容被描述为在电路中晶体端子两端测量或计算的电容量。对于串联电路,晶振电路的连接点之间没有电容。因此,电路中没有负载电容。并联电路则是另一回事。要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素3中进行了描述),请使用以下便捷公式:

温补晶振4.恒温晶振OvenControlledCrystalOscillator(OCXO):采用精密控温,使电路元件及晶体工作在晶体的零温度系数点的温度上温补晶振5)稳定时间:振荡器从初始加电到稳定工作在规定极限值所需要的时间;6)相位噪声:是指信号功率与噪声功率的比率(C/N),是表征频率颤抖的技术指标。在对预期信号既定补偿处,以1Hz带宽为单位来测量相位噪声;。中精度产品频率稳定度为10-7~10-8,高精度产品频率稳定度在10-9量级以上。主要用作频率源或标准信号
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