深圳温补晶振功耗

恒温晶振温补晶振恒温晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，故为了保持频率的稳定性，将晶振控制在一个恒定的温度下工作以此来提高晶振的相频特性。温补晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，为了抵消温度对晶振频率的影响，控制晶振的谐振电容随温度变化而变化，抵消温度晶体影响提高频率稳定性。温补晶振石英晶振和陶瓷晶振成本区别陶瓷晶振就是指用陶瓷外壳封装的晶振，是用硅藻土经过高温烧制成的电子元器件，里面有一片很薄的压电晶片温补晶振

负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容，陶瓷晶振不像其他陶瓷工艺品很大个，陶瓷晶振由于体积较小，因此在制作工艺上很难达到某些技术要求，和石英晶振比起来精度要差一些，但成本也比较低，主要用在对频率精度要求不高的电子产品中。晶体振荡器电路设计的7个主要注意事项1.串联电路串联电路晶体振荡器使用设计为以其自然谐振频率工作的晶体。对于这种类型的电路，在反馈回路中不需要电容器。串联谐振振荡器电路是相当基本的，并且由于其元件数量少而通常被使用。串联电路可以提供除通过晶体以外的反馈路径。这意味着即使在晶体故障期间，电路也可能继续以主观频率振荡。

温补晶振恒温晶振的加热恒温电路，目前广泛使用的是模拟直流放大式，如下图所示，以运放LM358为控制核心3、恒温晶振主要参数：1）、频率准确度：按规定条件要求，在基准温度下测试，晶体振荡器的频率相对于其规定标称值的最大允许偏差，即（f-f0）/f0；2）、频率－温度稳定度：按规定条件要求，在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的最大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即±（fmax-fmin）/（fmax+fmin）；。RT1、R1、R2、R3组成差分电桥，差分电压经运放放大后控制晶体管的加热电流。Q1、Q2组成达林顿复合管，提高电流放大倍数。主要功耗在Q2上。

温补晶振当恒温槽的工作温度波动被控制在很小范围内时,如优于百分之一摄氏度时,其频率温度变化也可以被限制在很小的范围内,而且正是由于这种恒温作用,其频率温度变化曲线非常接近于线性温补晶振5、稳定时间：振荡器从初始加电到稳定工作在规定极限值所需要的时间；6、相位噪声：是指信号功率与噪声功率的比率（C/N），是表征频率颤抖的技术指标。在对预期信号既定补偿处，以1Hz带宽为单位来测量相位噪声；。所以对OCXO恒温晶振的频率温度变化的预测可以采用线性数学模型,而Kalman滤波算法正是一种较好的线性模型估计器,因此用它来拟合OCXO恒温晶振的频率温度特性曲线是合适的。