佛山恒温晶振功耗

因此，晶体振荡器类型被分析为可以以更低的成本被硅MEMS振荡器完全替代。由于这一因素，预计在预测期内硅振荡器市场将呈现正增长。在硅振荡器中，时钟源是自己提供的。硅振荡器使用内部RC时间常数，并且不依赖于机械谐振特性来驱动振荡频率。硅MEMS振荡器在大多数频率下均很容易获得。而且，即使在非标准频率下，也可以在短时间内进行编程和使用。考虑到所有这些因素，预计未来几年对硅振荡器的需求将会增长。但是，预计硅时钟振荡器将支持新特性，例如扩频功能，但尚未完全与陶瓷谐振器技术结合。陶瓷谐振器技术已经得到充分发展并达到了技术极限，而硅时钟振荡器技术才刚刚起步，预计这将成为制约全球硅振荡器市场增长的主要因素。恒温晶振一种提高恒温晶振频率稳定度的方法技术领域：本发明涉及电子材料领域的恒温晶振，具体涉及一种恒温晶振内部温度提高恒温晶振频率稳定度的测试方法。背景技术：高稳定度晶振是计量的基础，利用恒温槽将晶体的温度保持在一定的温度范围内做成的晶振就是恒温晶振，高稳定度的恒温晶振是目前广泛使用的产品中用得比较多的，特别是稳定度为10E-9\10E-10这个量级的晶振，基本都是恒温晶振恒温晶振

1.晶体A的电路没有恒温，热噪声较低。2.晶体A是三次泛音晶体，虽然Q值低，但谐振阻抗RS也低，因此主振级输出幅度较大，信噪比提高。再来看近端10HZ处的相噪，几种晶体没有太大的区别，恒温和非恒温也没有什么区别。一般上理论认为，晶振的相位噪声，近端取决于晶体，远端取决于电路。近端相位噪声正比于晶体Q值的4次方。这点在我的试验中没有得到体现。我认为可能的原因在于：。为了提高恒温晶振的频率稳定度，在恒温晶振设计尤其是恒温晶振的热槽结构设计时，准确了解恒温晶振内部各关键点的确切温度，是业界一直努力的一个方向。我国在恒温晶振的设计理论方面走了几十年的历史，有很大进步，但设计高稳定度的晶振一直依靠设计者的经验、研究国外的样品、理论计算和个人感觉等因素，对恒温槽内的恒温情况没有做实际的测试，导致了设计成本增加、周期长、技术经验等不足。恒温晶振2.温补晶振TemperatureCompensatedCrystalOscillator（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器恒温晶振

晶振频率：1[时域表征]⑴在规定条件下，晶振内部元件由于老化而引起的输出频率随时间的漂移。通常用某一时间间隔内的老化频差的相对值来量度（如日、月或年老化率等）。⑵日稳定度（或称日波动）：指晶振的输出频率在24小时内的变化情况。通常用其最大变化的相对值来表示。。一般模拟式温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用。

恒温晶振1.近端仍旧是电路的噪声在起主要作用，高Q值晶体的效果没有得到发挥。2.晶体的有载Q值比空载Q值下降很多，以至于各种晶体的有载Q值差别不大，所以相噪相差不大恒温晶振总之，晶振良好的温度特性不仅可以极大减小晶振受温度影响的漂移量，也可以实现晶振老化优化2个数量级。同样，一般在有空调的密闭环境下，24小时的环境温度变化大约为±2度，5小时的环境温度变化大约为1度。对于2B晶振。总结来说，在低噪声晶振的设计中，电路是非常重要的环节，振荡电路应该要使晶体的有载Q值不致下降很多，并且电路附加的噪声要足够小。一般性的设计中，不必一味追求晶体的高Q值（对老化率有要求的除外），用低成本的晶体加上设计良好的电路（电路的成本也许只要几元钱）也能得到不错的相位噪声水平。