佛山压控晶振vctcxo一级代理商

另外晶振供电电源如果采取波动较小的LDO供电，且电源特性漂移相比日老化及温度漂移要小很多，可以忽略。所以保持模式下漂移的主要影响因素=晶振的日老化+晶振温度漂移两种晶振指标在时钟板上的保持指标第一种2B晶振：温度稳定度3E-9（-30~70℃）年老化3E-8日老化3E-10压控晶振vctcxo6．完善的北斗和GPS信号的性能监测，自动或手动选择主用卫星信号。7．自保持能力强，时钟装置收不到卫星信号后，自守时能力优于7*10-9压控晶振vctcxo

7）频谱纯度：频率稳定度的一种频域量度，它通常用信号边带的噪声功率谱中每赫兹带宽的噪声功率相对于总信号功率的分贝数来表示；8）谐波失真：用不希望的信号频谱分量与有用信号频率的谐波关系描述的非线形失真；9）再现性：振荡器经过规定的时间间隔，再加电一段时间后返回原来频率的能力；。8．装置具有多个物理隔离的相互的10/100M网口（每个端口具有的MAC地址），多个端口可以灵活的配置使用，可以用在不断增长变化的网络环境中；还可用于不同的子网或不同的物理隔离的网络中。另外，还可用来作为NTP网管来使用，使两个物理隔离的网络共享时间服务器资源。3）频率老化：晶体振荡器输出频率随时间的变化，通常用某一时间间隔的频率来量度。如0至30天的总变化或1年内的预定总频率变化等；4）工作温度范围：振荡器能正常工作。其频率及其他性能均不超过规定的允许偏差的温度范围；

压控晶振vctcxo影响时钟保持指标关键器件--晶振的重要指标保持模式下的漂移=晶振的日老化+晶振日波动+晶振温度漂移+电源特性漂移其中晶振日波动漂移是由于环境温度在24小时存在大约±2度的变化导致晶振温度补偿超前或滞后带来的频率变化，主要取决于晶振的温度特性。如果是芯片指定的晶振引脚，如在某些微处理器中，常常可以不加，因为芯片内部已经制作了，要仔细阅读DATASHEET的有关说明。和晶振并联的电阻作为负载，一般1M欧。也有和晶振串联的电阻为谐振电阻。。问：晶振的参数里有配用的谐振电容值。比如说32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF.这个值和实际电路中晶振上接的两个电容值是什么关系？像DS1302用的就是32.768K的晶振，它内部的电容是6pF的答：你所说的是晶振的负载电容值。指的是晶振交流电路中，参与振荡的，与晶振串联或并联的电容值。晶振电路的频率主要由晶振决定，但既然负载电容参与振荡，必然会对频率起微调作用的。

压控晶振vctcxo恒温石英晶体振荡器温度特性试验的升温速率是有标准的.简要说明如下：一、环境试验箱温度应按阶梯（或按规定速率直线）式升高压控晶振vctcxo7）频谱纯度：频率稳定度的一种频域量度，它通常用信号边带的噪声功率谱中每赫兹带宽的噪声功率相对于总信号功率的分贝数来表示；8）谐波失真：用不希望的信号频谱分量与有用信号频率的谐波关系描述的非线形失真；9）再现性：振荡器经过规定的时间间隔，再加电一段时间后返回原来频率的能力；,并在每次温度调整时都要有规定的稳定时间．注：在某些应用场合．可能要求测定从最低温度升到最高温度与从最高温度降劐最低温度之间频率温度特性的再现性.