内热式石英晶体振荡器电路内热式品体是将用作加热器和传感器的PTC热敏电阻装在毛坯晶体支架金属座上,紫外线清洗后环氧树脂填充。这样的振荡器具有低的相位噪声，小的电流损耗。还有一种内热式用组合加热器。它由小型薄膜元件与微型NTC热敏电阻组成。将它们一块直接装在毛坯晶体上,而功率管装在特制支架底座上。这种组合式的优点是快速预热和小功耗,其预热时同只要30秒。内热式的缺点。
恒温晶振对于石英晶振，一般需要控制以下三点要求：1、一般情况下烙铁头温度控制在300℃左右，热风木仓控制在200℃～400℃。2、焊接时不允许直接加热贴片晶振引脚的脚跟以上部位，以免损坏晶振内部电容恒温晶振
2．3授时功能在许多现实的应用中需要毫秒、微秒、纳秒等这些更小的时间单位量，但是GPS接收机一般只能提供最小时间单位为秒的UTC时间，本系统在GPS基础上设计了授时功能。授时工作流程如图5所示，系统在FPGA中设计串口数据模块来接收GPs的SD01管脚发出的GPRMC格式数据，并将其存放在FPGA内部的双口RAM中，通过串口数据模块及数字鉴相器模块可以判断GPS接收机是否正常工作。若识别出准确的UTC时间和1PPS信号后，授时模块迅速从RAM中提取最新时间数据进行处理，得到初始时间值，当下一个1PPS上升沿到来后，系统在初值的基础上开始完全依靠高稳恒温晶振自行走时，并每隔5秒与准确的1PPS信号进行校对，如果发现本系统的时间与1PPS不同步，那么系统时间将会短暂停滞或快速跳进，达到与1PPS同步，保证时间信息输出的连续性与准确性；若GPS接收机非正常输出1PPS信号，则不进行校对，直到1PPS正常后再恢复校对功能。。3、需要使用∮0.3mm～∮0.5mm的焊锡丝；烙铁头始终保持光滑，无钩，无刺；烙铁头不得重触焊盘，不要反复长时间在一焊盘加热，常规晶振的工作温度一般在-40℃～85℃。长时间对焊盘加热可能会超过晶振工作温度范围，造成石英晶振寿命减少甚至损坏。为了避免谐振器损坏请各大客户在焊接过程中多加注意，以避免造成产品性能不稳定。R6电阻需要满足一定的功率耗散要求，估算为0.5x0.5x1.2=0.3W，考虑到长期高温工作及功率预留，功耗应当至少在1W以上。如图所示是由A1的三个门、四个电阻、调谐电容和一块晶体所构成简单的晶体振荡器电路。晶体振荡电路在图中，其中A1和晶体谐振子SJT及电容组成4069kHz的方波信号。将开关置1点，送至A2，经A2的二分频后，获得2048kHz振荡信号；将开关置于3点，送至A3，经A3的二分频后，获得128kHz振荡信号。调谐电容C1和C2，可使频率准确的调谐在中心频率上。由晶体SJT连接在A1的输入和输出端之间，用以提供反馈回路，在晶体的基频上
恒温晶振恒温贴片晶振选用俄罗斯莫里恩(Motion)公司的低漂移、低相噪薄型双恒温槽超精密恒温晶体振荡器OCXOMV180。该恒温晶振输出标准频率为10MHz的正弦波另外晶振供电电源如果采取波动较小的LDO供电，且电源特性漂移相比日老化及温度漂移要小很多，可以忽略。所以保持模式下漂移的主要影响因素=晶振的日老化+晶振温度漂移两种晶振指标在时钟板上的保持指标第一种2B晶振：温度稳定度3E-9（-30~70℃）年老化3E-8日老化3E-10，短期稳定度小于2x10-12／秒，年老化率为±1×10-8／年，对周围环境变化敏感度低，长期温度-频率稳定度可达±1×10-10，还提供了一个直流电压控制端。通过向压控端施加一个0～+5V的直流电压，可使该恒温晶振有±5Hz左右的频率调整范围，控制电压与晶振频率的近似关系。
恒温晶振一般的恒温晶振要比
温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等恒温晶振2系统设计系统以FPGA作为控制器，芯片选用Altera公司的EP3C25E144C8，内部具有丰富的逻辑资源。开发平台是QuartusII集成开发环境，采用VetilogHDL语言对各功能模块进行逻辑描述，并完成了逻辑编译、逻辑化简、综合及优化、逻辑布局布线，并使用Modelsim、SignalnapII进行逻辑仿真，实现系统的设计要求，系统的原理框图所示。。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。
