3）频率老化：晶体振荡器输出频率随时间的变化，通常用某一时间间隔的频率来量度。如0至30天的总变化或1年内的预定总频率变化等；4）工作温度范围：振荡器能正常工作。其频率及其他性能均不超过规定的允许偏差的温度范围；晶振
恒温晶振是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器晶振
在晶振通电稳定后，晶体的老化漂移呈现非常有规律且重复性非常好的类抛物曲线，采取简单的线性补偿就可以提升1~2个数量级。如要对晶振老化漂移优化，需要得到晶振在上级时钟良好、时钟板处于锁定状态下的漂移，通过读取锁定电压值即可。需要特别注意的是，这个锁定值会在晶振老化漂移的基础上叠加晶振温度特性的影响，如果晶振温度漂移特性超过老化漂移时，即便采取平滑手段也很难得到老化真正的漂移特性，或者得到的不够准确，也会带来晶振老化优化提升不足。。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻“电桥"构成的差动串联放大器，来实现温度控制。时钟IC芯片上面讲到了时钟的产生，那他是如何工作的接下来我给大家讲解一下时钟IC芯片。时钟IC芯片的工作条件：①。供电→他的供电基本上都经过个子较大的贴片电感进入时钟IC芯片（贴片电感时钟IC芯片附近就可以找到因为他比其它帖片要胖一点）。时钟IC芯片早期的供电有2组到3组：2组供电为2.5V与3.3V3组供电为2.5V与2.8V时钟IC芯片后期的供电有1组到2组：1组为+3.3V2组为3.3V与2.5V
晶振恒温晶振开机电流,稳态的电流,开机5分钟内1次/1秒频率采样,第3分钟到第5分钟的频率稳定度.在传统得
OCXO晶振得测试之中负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容,开机电流与稳态电流是由测试人员从稳压电源上面实时的变化电流值之中琮识别,读取与记录.并且,由于每一只恒温晶振都会独立地配置电源线与信号线,在上电与测试之时都是通过人工的手动切换来实现.
晶振10、输出功率：施加规定电压和规定负载下，振荡器消耗的电能，用电压与消耗电流的积表示；11、输出电压（正弦波）：施加规定的电压和负载晶振问：我发现在使用晶振时会和它并一个电阻，一般1M以上，我把它去掉，板子仍可正常工作，请问这个电阻有什么用？可以不用吗？我有看到过不用的！不理解~答：这个电阻是反馈电阻，是为了保证反相器输入端的工作点电压在VDD/2，这样在振荡信号反馈在输入端时，能保证反相器工作在适当的工作区。虽然你去掉该电阻时，振荡电路仍工作了。但是如果从示波器看振荡波形就会不一致了，而且可能会造成振荡电路因工作点不合适而停振。所以千万不要省略此电阻。这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区，以获得增益，在饱和区是没有增益的，而没有增益是无法振荡的。如果用芯片中的反相器来作振荡，必须外接这个电阻，对于CMOS而言可以是1M以上，对于TTL则比较复杂，视不同类型（S,LS…）而定。，在规定的时间内达到稳定后，用RF表测得的有效值或用示波器测量电压峰-峰值后换算的有效值。
