佛山恒温晶振指标

如果是芯片指定的晶振引脚，如在某些微处理器中，常常可以不加，因为芯片内部已经制作了，要仔细阅读DATASHEET的有关说明。和晶振并联的电阻作为负载，一般1M欧。也有和晶振串联的电阻为谐振电阻。。问：晶振的参数里有配用的谐振电容值。比如说32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF.这个值和实际电路中晶振上接的两个电容值是什么关系？像DS1302用的就是32.768K的晶振，它内部的电容是6pF的答：你所说的是晶振的负载电容值。指的是晶振交流电路中，参与振荡的，与晶振串联或并联的电容值。晶振电路的频率主要由晶振决定，但既然负载电容参与振荡，必然会对频率起微调作用的。恒温晶振石英晶振和陶瓷晶振成本区别陶瓷晶振就是指用陶瓷外壳封装的晶振，是用硅藻土经过高温烧制成的电子元器件，里面有一片很薄的压电晶片恒温晶振

温度漂移=（3E-9/（30+70））*1=0.3E-1012小时老化漂移=（3E-10/24）*12/100=0.02E-10所以保持指标达到1.5μS的小时=（（1.5*10E10/10E6）/（60*60））/（0.3+0.015）=13.2H，陶瓷晶振不像其他陶瓷工艺品很大个，陶瓷晶振由于体积较小，因此在制作工艺上很难达到某些技术要求，和石英晶振比起来精度要差一些，但成本也比较低，主要用在对频率精度要求不高的电子产品中。3.压控晶振VoltageControlledCrystalOscillator（VCXO）：是一种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器，主要用于锁相环路或频率微调。压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所用变容二极管及晶体参数两者的组合

恒温晶振温补晶振，由于晶体振荡器的震荡制频率会随着温度的变化而变化电路的基本结构相同，但有一些变化。晶体A没有加恒温电路，电源供电为5V,主振级使用4V的稳压电压。晶体B恒温到70度附近，电源供电为5V,主振级使用4V的稳压电压。晶体C恒温到90度附近，电源供电为12V,主振级使用8V的稳压电压。，为了抵消温度对晶振频率的影响，控zhidao制晶振的谐振电容随温度变化而变化，抵消温度晶体影响提高频率稳定性一般的恒温晶振可以做的比温补晶振精度更好。

恒温晶振温补晶振，TCXO，普通的振荡器内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm恒温晶振晶振还有个作用是在电路产生震荡电流，发出时钟信号。晶振是晶体振荡器的简称。它用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（VCO）。晶振在数字电路的基本作用是提供一个时序控制的标准时刻。数字电路的工作是根据电路设计，在某个时刻专门完成特定的任务，如果没有一个时序控制的标准时刻，整个数字电路就会成为“聋子”，不知道什么时刻该做什么事情了。晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。。消耗电流一般小于几十mA。是最常见的高精度的产品。在通讯终端中很常见。恒温晶振，OCXO，在特制的晶体周围包有振荡电路和恒温电路，频率稳定度可以达到+/-0.01ppm。消耗电流一般300mA~2A。主要应用于卫星，通讯基站等。