式中,do、d为正数,参数aj(n),j=1,2,…,M由当前数据输入和上次数据输出迭代估计得到,价值函数为通过最小化价值函数,可以得到参数a,(n),j=1,2,…,M,得到t(n)时刻的aoa1…aM后,t(n+l)时刻的相对频率偏差预测值为:tcxo晶振一种提高
恒温晶振频率稳定度的方法技术领域：本发明涉及电子材料领域的恒温晶振，具体涉及一种恒温晶振内部温度提高恒温晶振频率稳定度的测试方法。背景技术：高稳定度晶振是计量的基础，利用恒温槽将晶体的温度保持在一定的温度范围内做成的晶振就是恒温晶振，高稳定度的恒温晶振是目前广泛使用的产品中用得比较多的，特别是稳定度为10E-9\10E-10这个量级的晶振，基本都是恒温晶振tcxo晶振
晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立RC振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。功耗选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。。为了提高恒温晶振的频率稳定度，在恒温晶振设计尤其是恒温晶振的热槽结构设计时，准确了解恒温晶振内部各关键点的确切温度，是业界一直努力的一个方向。我国在恒温晶振的设计理论方面走了几十年的历史，有很大进步，但设计高稳定度的晶振一直依靠设计者的经验、研究国外的样品、理论计算和个人感觉等因素，对恒温槽内的恒温情况没有做实际的测试，导致了设计成本增加、周期长、技术经验等不足。晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。
tcxo晶振恒温贴片晶振选用俄罗斯莫里恩(Motion)公司的低漂移、低相噪薄型双恒温槽超精密恒温晶体振荡器OCXOMV180。该恒温晶振输出标准频率为10MHz的正弦波瞬时频率为:相对频率偏移为：式中x(t)=为时间偏差,由式(2-7)可以得到：瞬时频率的常用公式为:式中f(t)为t时刻的瞬时频率值,fO为t=0时刻的频率值,fr为标称频率,D(t)为频率漂移率。由式(2-7)和(2-9)可推导出:，短期稳定度小于2x10-12／秒，年老化率为±1×10-8／年，对周围环境变化敏感度低，长期温度-频率稳定度可达±1×10-10，还提供了一个直流电压控制端。通过向压控端施加一个0～+5V的直流电压，可使该恒温晶振有±5Hz左右的频率调整范围，控制电压与晶振频率的近似关系。
tcxo晶振一般的恒温晶振要比
温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等tcxo晶振5、时钟晶振（ClockOscilator）时钟晶振是一种用逻辑门电路做成的晶体振荡器（钟振）。特点：采用逻辑门电路作为有源器件，可产生方波推动数字电路;频率范围：10KHz～60MHz;频率稳定度：10-4～10-5；可作时钟控制产生cp脉冲。。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。
