5）稳定时间：振荡器从初始加电到稳定工作在规定极限值所需要的时间；6）相位噪声：是指信号功率与噪声功率的比率（C/N），是表征频率颤抖的技术指标。在对预期信号既定补偿处，以1Hz带宽为单位来测量相位噪声；ocxo晶振
温补晶振，
恒温晶振，
压控晶振，普通钟振，这些都是有源晶振，所以有源晶振肯定需要电源加入才能工作ocxo晶振
三、概述微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；基于相移电路的时钟源，如：RC（电阻、电容）振荡器。硅振荡器通常是完全集成的RC振荡器，为了提高稳定性，包含有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等。机械式谐振器与RC振荡器的主要区别基于晶振与陶瓷谐振槽路（机械式）的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。相对而言，RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。图1所示的电路能产生可靠的时钟信号，但其性能受环境条件和电路元件选择以及振荡器电路布局的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。。恒温晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会复随着温度的变化而变化，故为了保持频率的稳定性，将晶振控制在一个恒定的温度下工作以此来提高晶振的相频特性。负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容
ocxo晶振恒温晶振、温补晶振的调试及测试时的注意点1)每一个单独指标必须单独测试,不能同时测试几种指标,也不能同时测试几只晶振2)中心频率偏差(Frequencyaccuracy)IEC标准定义:在基准点温度环境(25±2℃)和中心控制电压时,测得的频率值与标称频率的偏差。3)频率调谐范围(Frequencyadjustmentrange)。2)测试时要严格按照标准的测试电路和测试环境进行测试。3)在没有相当的测试设备和测试人员的情况下,不建议客户自行测试晶振,更不能随意调试晶振,测试设备的等级应至少比晶振指标高一个数量级。
ocxo晶振当恒温槽的工作温度波动被控制在很小范围内时,如优于百分之一摄氏度时,其频率温度变化也可以被限制在很小的范围内,而且正是由于这种恒温作用,其频率温度变化曲线非常接近于线性ocxo晶振即：使用3E晶振在不做算法优化下，时钟只能保持0.6个小时漂移在1.5μS以内。做算法优化算法优化分为温度特性优化以及老化率优化。晶振的温度特性漂移速度以及漂移量取决于晶振所处的环境温度点、环境的温变速度、设备机箱的温度传递速度以及晶体的迟滞特性，晶振频率漂移与温度变化的关系类似于一个加速阻尼振荡，是个5次函数关系，而温度传感器对于温度变化的响应速度是非常快的，如要简单依赖温度传感器对晶振的温度特性做优化，会带来温度补偿超前或滞后，导致频率晃动加上，短稳、抖动指标都将恶化，而且优化系统很难预知其他温度点晶振的漂移值。。所以对OCXO恒温晶振的频率温度变化的预测可以采用线性数学模型,而Kalman滤波算法正是一种较好的线性模型估计器,因此用它来拟合OCXO恒温晶振的频率温度特性曲线是合适的。
