3、时钟信号走线长度尽可能短，线宽尽可能大，与其它印制线间距尽可能大，紧靠器件布局布线，必要时可以走内层，以及用地线包围；4、通过背板从外部引入时钟信号时有特殊的设计要求，需要详细参考相关的资料。此外还要做一些说明：
tcxo晶振理论上讲，如果
恒温晶振与
温补晶振的输出信号频率一致，并且端接负载相同，输出信号幅度又差不多的话，是可以互换的tcxo晶振
。但是恒温晶振与温补晶振的应用与性能是完全不同的。恒温晶振与温补晶振都是在较宽的温度范围内输出一个较稳定的信号频率，但其工作方式不同。4.恒温晶振OvenControlledCrystalOscillator（OCXO）：采用精密控温，使电路元件及晶体工作在晶体的零温度系数点的温度上。中精度产品频率稳定度为10-7~10-8，高精度产品频率稳定度在10-9量级以上。主要用作频率源或标准信号
tcxo晶振恒温晶振的加热恒温电路，目前广泛使用的是模拟直流放大式，如下图所示，以运放LM358为控制核心因此，晶体振荡器类型被分析为可以以更低的成本被硅MEMS振荡器完全替代。由于这一因素，预计在预测期内硅振荡器市场将呈现正增长。在硅振荡器中，时钟源是自己提供的。硅振荡器使用内部RC时间常数，并且不依赖于机械谐振特性来驱动振荡频率。硅MEMS振荡器在大多数频率下均很容易获得。而且，即使在非标准频率下，也可以在短时间内进行编程和使用。考虑到所有这些因素，预计未来几年对硅振荡器的需求将会增长。但是，预计硅时钟振荡器将支持新特性，例如扩频功能，但尚未完全与陶瓷谐振器技术结合。陶瓷谐振器技术已经得到充分发展并达到了技术极限，而硅时钟振荡器技术才刚刚起步，预计这将成为制约全球硅振荡器市场增长的主要因素。。RT1、R1、R2、R3组成差分电桥，差分电压经运放放大后控制晶体管的加热电流。Q1、Q2组成达林顿复合管，提高电流放大倍数。主要功耗在Q2上。
tcxo晶振恒温晶振：OCXO，在特制的晶体周围包有振荡电路和恒温电路，频率稳定度可以达到+/-0.01ppm。消耗电流一般300mA~2A。主要应用于卫星，通讯基站等tcxo晶振即：使用2B晶振在做算法优化的前提下，时钟可以保持13.2个小时漂移在1.5μS以内。对于3E晶振（由于温度特性过于差，导致老化优化只能大约提升1个数量级）温度漂移=（5E-8/（30+70））*1=5E-10。5、温补晶振可以替换恒温晶振吗？南京南山半导体代理的EPSON（爱普生）TG-5500CA系列温补晶振频率温度特性达到恒温槽控制晶体振荡器（OCXO）领域的高精度（±0.1×10-6），能够对应三级钟的长期老化特性（20年为±3.0×10-6），且尺寸小，耗电少。可以替代普通的恒温晶振使用。
