3.
压控晶振VoltageControlledCrystalOscillator（VCXO）：是一种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器，主要用于锁相环路或频率微调。压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所用变容二极管及晶体参数两者的组合ocxo晶振6．完善的北斗和GPS信号的性能监测，自动或手动选择主用卫星信号。7．自保持能力强，时钟装置收不到卫星信号后，自守时能力优于7*10-9ocxo晶振
5)如果可能的话,应允许在研发阶段就让厂家参与到指标的确认工作中。
恒温晶振、
温补晶振主要技术指标定义的IEC标准1)标称频率(Nominalfrequency)IEC标准定义:石英晶体振荡器标明的工作频率。。8．装置具有多个物理隔离的相互的10/100M网口（每个端口具有的MAC地址），多个端口可以灵活的配置使用，可以用在不断增长变化的网络环境中；还可用于不同的子网或不同的物理隔离的网络中。另外，还可用来作为NTP网管来使用，使两个物理隔离的网络共享时间服务器资源。三、概述微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；基于相移电路的时钟源，如：RC（电阻、电容）振荡器。硅振荡器通常是完全集成的RC振荡器，为了提高稳定性，包含有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等。机械式谐振器与RC振荡器的主要区别基于晶振与陶瓷谐振槽路（机械式）的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。相对而言，RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。图1所示的电路能产生可靠的时钟信号，但其性能受环境条件和电路元件选择以及振荡器电路布局的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。
ocxo晶振恒温晶振的加热恒温电路，目前广泛使用的是模拟直流放大式，如下图所示，以运放LM358为控制核心R5将运放输出的电压转化为晶体管基极的电流，不可过大或过小。Q3、R6组成限流电路，限制加热电路的最大电流。最大电流估算为0.6V/1.2欧姆=0.5A。超过此电流时，R6上的压降使Q3导通，从而泄放掉过多的基极电流，使晶体管的电流不再升高。此限流电路较简单，但最大电流会随着Q3晶体管的温度变化。。RT1、R1、R2、R3组成差分电桥，差分电压经运放放大后控制晶体管的加热电流。Q1、Q2组成达林顿复合管，提高电流放大倍数。主要功耗在Q2上。
ocxo晶振由晶体SJT连接在A1的输入和输出端之间，用以提供反馈回路，在晶体的基频上产生振荡。这个简单又廉价的晶体振荡器由74LS04的两个门及外围元件组成，电路如图3所示：电阻R1和R2将两个反相器F1、F2偏置在线性范围内，并由晶体SJT提供反馈回路，其在晶体的基频上产生20MHz振荡频率，然后由反相器F3送至由74LS74构成的D型触发器进行分频ocxo晶振石英晶片的切型大致可以分为AT切、BT切、CT切、DT切等，不同的切型，所对应的频率温度曲线不一样，可以采用AT切32.768KHZ钟振来解决难题。音叉32.768KHZ晶体频率温度曲线为二次抛物线，随着工作温度偏离常温25℃越远，温漂也随之变大，-10℃~60℃其温漂达到将近50ppm，如按工业级-40℃~85℃计算，温漂高达151ppm，难以适应工业级工作温度范围的电子产品，对其进行温度补偿也较为困难，因此，市面上针对32.768KHZ的TCXO很少，且价格极为昂贵。对于一般的消费类电子行业，如需工业级-40℃~85℃，且温度频差控制在±30ppm以内，使用普通音叉型32.768KHZ晶体，是无法满足要求的。然而，如果能将晶片切型改为AT切的切型，那么工业级温度频差控制在±30ppm以内将不成问题。。若要进行二分频或四分频、八分频等，则需遵循2n分频规律（n为级数）。n=1，则21=2分频，即将20MHz经A1＝分频电路后，Q1输出10MHz；若四分频，n=2，则22=4分频，即将20MHz经A1、A2四分频电路后，Q2输出5MHz；若进行三分频，当f第三个脉冲过后，Q1=1，Q2=1，这时Q1ˉ=0，Q2ˉ=0，或非门HF1输出为1，至R端复位，将Q1、Q2复位为00，结果经A1、A2三分频后，Q2输出约6.7MHz；若需五分频，当计数为5时，Q1Q2Q3=101，即Q1ˉ=0，Q3ˉ=0，或非门HF2输出为1，将Q1、Q2、Q3复位为000，结果Q3输出4MHz频率。
