2[频域表征]⑴单边相位噪声功率谱密度，晶振输出信号的频谱中，用偏离载频fHz处每Hz带宽内单边相位噪声功率与信号功率之比的分贝（dB）量，可写作￡（f）单位为dB/Hz。⑵频谱纯度：是量度晶振内部噪声及杂散谱的尺度。通常用单边噪声功率谱密度来表示。
压控晶振vctcxo
温补晶振，TCXO，普通的振荡器内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm压控晶振vctcxo
。消耗电流一般小于几十mA。是最常见的高精度的产品。在通讯终端中很常见。
恒温晶振，OCXO，在特制的晶体周围包有振荡电路和恒温电路，频率稳定度可以达到+/-0.01ppm。消耗电流一般300mA~2A。主要应用于卫星，通讯基站等。瞬时频率为:相对频率偏移为：式中x(t)=为时间偏差,由式(2-7)可以得到：瞬时频率的常用公式为:式中f(t)为t时刻的瞬时频率值,fO为t=0时刻的频率值,fr为标称频率,D(t)为频率漂移率。由式(2-7)和(2-9)可推导出:
压控晶振vctcxo负载电容可以在振荡器电路设计中发挥关键作用。在下一个设计注意事项中，您将看到一个负载电容重要性的示例，但现在，让我们仔细研究一下负载电容本身1)工作温度范围的下限越低,振荡器功耗越大,同时石英晶振频率温度稳定度越难实现。2)工作温度范围的上限越高,晶体拐点设置越高,晶体成本上升越多。3)压控特性(电压范围、极性、线性、压控输入阻抗)IEC标准定义:当控制电压变化时,引起的振荡器输出的频率、波形特征等电特性的变化。注:。负载电容被描述为在电路中晶体端子两端测量或计算的电容量。对于串联电路，晶振电路的连接点之间没有电容。因此，电路中没有负载电容。并联电路则是另一回事。要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素3中进行了描述)，请使用以下便捷公式：
压控晶振vctcxo晶振作为一个某产品内部的被动元件，在生产、保存及使用的过程中，总会不轻易地出现一些小问题，对于不是晶振厂商的来说，无疑是一件非常烧脑的事情压控晶振vctcxo5)如果可能的话,应允许在研发阶段就让厂家参与到指标的确认工作中。恒温晶振、温补晶振主要技术指标定义的IEC标准1)标称频率(Nominalfrequency)IEC标准定义:石英晶体振荡器标明的工作频率。。小扬今天整理专业工程师总结出几点晶振使用异常问题分析及解决方法，希望可以给大家提供相应帮助!1、频偏造成的使用异常异常现象：色彩图像不正常；音频杂音，无数据传输，距离短，遥控无反应。
