对于3E晶振温度漂移=（5E-8/（30+70））*1=5E-105小时老化漂移=（1E-9/24）*5=2.1E-10所以保持指标达到1.5μS的小时=（（1.5*10E10/10E6）/（60*60））/（5+2.1）=0.6H
恒温晶振作为恒温晶振OCXO或
温补晶振TCXO,常用的有100M晶振，而100MHz是一个常用的频率恒温晶振
即：使用2B晶振在做算法优化的前提下，时钟可以保持13.2个小时漂移在1.5μS以内。对于3E晶振（由于温度特性过于差，导致老化优化只能大约提升1个数量级）温度漂移=（5E-8/（30+70））*1=5E-10。从切型和振动模式来看，常用的有以下3种晶体：AT切3次泛音、AT切5次泛音、SC切5次泛音。前一种通常用来制作温补晶振TCXO,后2种用来制作恒温晶振OCXO.这是因为：7）频谱纯度：频率稳定度的一种频域量度，它通常用信号边带的噪声功率谱中每赫兹带宽的噪声功率相对于总信号功率的分贝数来表示；8）谐波失真：用不希望的信号频谱分量与有用信号频率的谐波关系描述的非线形失真；9）再现性：振荡器经过规定的时间间隔，再加电一段时间后返回原来频率的能力；
恒温晶振负载电容可以在振荡器电路设计中发挥关键作用。在下一个设计注意事项中，您将看到一个负载电容重要性的示例，但现在，让我们仔细研究一下负载电容本身在图中，其中A1和晶体谐振子SJT及电容组成4069kHz的方波信号。将开关置1点，送至A2，经A2的二分频后，获得2048kHz振荡信号；将开关置于3点，送至A3，经A3的二分频后，获得128kHz振荡信号。调谐电容C1和C2，可使频率准确的调谐在中心频率上。。负载电容被描述为在电路中晶体端子两端测量或计算的电容量。对于串联电路，晶振电路的连接点之间没有电容。因此，电路中没有负载电容。并联电路则是另一回事。要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素3中进行了描述)，请使用以下便捷公式：
恒温晶振3、输出波形：有正弦波和方波两种。4、输出幅度：在接入额定负载的规定条件下，晶振输出的均方根值电压恒温晶振②PG信号是在启动时输出电压都稳定后再给电脑一个启动信号，让电脑正式启动，而在意外断电时也能及时地送出关机信号让电脑马上停止工作，对电脑的稳定和外设起了很大的保护作用。PG信号基本是通过时钟IC芯片旁边的阻值较大的电阻（10K、4.7K电阻）进入时钟IC芯片内部的（PG要高于1.5V）当供电与PG都正常后时钟IC芯片内部才能正常工作，和晶体一起产生振荡，在晶体的两脚均可以看到波形。晶体的两脚之间的阻值在450---700欧之间。在它的两脚各有1V左右的电压，由分频器提供。他才能把14.318晶振送来的时钟频率放大或缩小后输给主板的各个部件。。5、频率温度特性：当环境温度在规定范围内按预定方式变化时，晶振的输出频率产生的相对变化特性6、压控线性度：指
压控晶振输出频率与压控电压曲线偏离线性的程度。
