5)如果可能的话,应允许在研发阶段就让厂家参与到指标的确认工作中。
恒温晶振、
温补晶振主要技术指标定义的IEC标准1)标称频率(Nominalfrequency)IEC标准定义:石英晶体振荡器标明的工作频率。ocxo晶振温补晶振，恒温晶振，
压控晶振，普通钟振，这些都是有源晶振，所以有源晶振肯定需要电源加入才能工作ocxo晶振
因此，晶体振荡器类型被分析为可以以更低的成本被硅MEMS振荡器完全替代。由于这一因素，预计在预测期内硅振荡器市场将呈现正增长。在硅振荡器中，时钟源是自己提供的。硅振荡器使用内部RC时间常数，并且不依赖于机械谐振特性来驱动振荡频率。硅MEMS振荡器在大多数频率下均很容易获得。而且，即使在非标准频率下，也可以在短时间内进行编程和使用。考虑到所有这些因素，预计未来几年对硅振荡器的需求将会增长。但是，预计硅时钟振荡器将支持新特性，例如扩频功能，但尚未完全与陶瓷谐振器技术结合。陶瓷谐振器技术已经得到充分发展并达到了技术极限，而硅时钟振荡器技术才刚刚起步，预计这将成为制约全球硅振荡器市场增长的主要因素。。恒温晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会复随着温度的变化而变化，故为了保持频率的稳定性，将晶振控制在一个恒定的温度下工作以此来提高晶振的相频特性。晶体振荡器电路由放大器和反馈网络组成。反馈网络从放大器获取特定输出，然后将其发送回放大器输入。绘制出来时看起来很简单。什么是晶体振荡器电路?但是越深入，复杂性就越大。紧紧抓住!为了使晶体振荡器电路有效运行，必须满足两个关键条件：(1)环路功率增益必须等于一致；(2)环路相移必须等于0、2Pi，4Pi等弧度。
ocxo晶振负载电容可以在振荡器电路设计中发挥关键作用。在下一个设计注意事项中，您将看到一个负载电容重要性的示例，但现在，让我们仔细研究一下负载电容本身(6)恒温箱一台，温变速率可控；(7)计算机以及相应软件；(8)电源及其他连接线。本发明的具体实施步骤包括:S1.在恒温晶振内部选定温度探测点:恒温晶振的上盖开孔；在恒温晶振内部选定包括晶体谐振器位置、功率管位置、热敏电阻位置、变容二极管位置及振荡电感位置5个位置，每个位置选2至3个点，探测点的数目根据孔的大小和温度探测线的线径确定。因为线(探测点)太多会对恒温晶振内部的温度场产生影响，线(探测点)太少恒温晶振的内部热量可能从上盖孔往外散发，都会影响测试效果；打开恒温晶振上盖，将温度探测线穿过恒温晶振上盖上的孔，用高温胶将温度探测线的电极粘接在选定的探测点上，粘接好后，按照线的序号登记探测点位置，盖上恒温晶振上盖，尽量做好密封处理。。负载电容被描述为在电路中晶体端子两端测量或计算的电容量。对于串联电路，晶振电路的连接点之间没有电容。因此，电路中没有负载电容。并联电路则是另一回事。要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素3中进行了描述)，请使用以下便捷公式：
ocxo晶振9）、再现性：振荡器经过规定的时间间隔，再加电一段时间后返回原来频率的能力；10）、输出功率：施加规定电压和规定负载下ocxo晶振3、时钟信号走线长度尽可能短，线宽尽可能大，与其它印制线间距尽可能大，紧靠器件布局布线，必要时可以走内层，以及用地线包围；4、通过背板从外部引入时钟信号时有特殊的设计要求，需要详细参考相关的资料。此外还要做一些说明：，振荡器消耗的电能，用电压和消耗电流的积表示；11）、输出电压（正弦波）：施加规定的电压和负载，在规定的时间内达到稳定后，用RF表测得的有效值或用示波器测量电压峰-峰值后换算的有效值。
