一般的
恒温晶振要比
温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而温补晶振的开机特性较好。恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的晶振还没正常工作怎么用？无论是恒温晶振还是温补晶振无非就是个信号源，为你的设备提供一个时间基准。只要你了解它性能指标你就可以相互代用。
温补晶振各种晶振简介1.普通晶振PackagedCrystalOscillator（PXO）：是一种没有采取温度补偿措施的晶体振荡器温补晶振
，在整个温度范围内，晶振的频率稳定度取决于其内部所用晶体的性能，频率稳定度在10-5量级，一般用于普通场所作为本振源或中间信号，是晶振中最廉价的产品。晶体振荡器电路由放大器和反馈网络组成。反馈网络从放大器获取特定输出，然后将其发送回放大器输入。绘制出来时看起来很简单。什么是晶体振荡器电路?但是越深入，复杂性就越大。紧紧抓住!为了使晶体振荡器电路有效运行，必须满足两个关键条件：(1)环路功率增益必须等于一致；(2)环路相移必须等于0、2Pi，4Pi等弧度。
温补晶振恒温晶振的加热恒温电路，目前广泛使用的是模拟直流放大式，如下图所示，以运放LM358为控制核心52.将恒温晶振安装在测试夹具上，并接上数字电流表和频率计数器后，将其放入恒温箱内；53.设置恒温箱的测试温度范围及测试温度点，在此温度范围内对恒温晶振各探测点的温度进行采集，录入计算机，同时记录恒温晶振在每个测试温度点相应的输出频率以及电流值。其中，所述步骤SI中，在恒温晶振的上盖上开孔，测试恒温晶振内部探测点的温度探测线从该孔中穿过并做密封处理，其一端的电极粘接在恒温晶振内部的探测点上。其中，所述步骤SI中，恒温晶振内部选定的探测点包括晶体谐振器位置、功率管位置、热敏电阻位置、变容二极管位置及振荡电感位置，并且每个位置选2至3个点。其中，所述步骤SI中，恒温晶振内部选定的探测点的数目根据孔的大小和温度探测线的线径确定。其中，所述步骤S2中，设置恒温箱的初始温度为25°C，恒温晶振在此条件下加电工作I小时后再开始测试。其中，所述步骤S3中，设置恒温箱的测试温度范围为-40°c至85V，从_40°C开始测试，设定恒温箱的温变速率。其中，所述步骤S3中，在恒温箱的温度首次降为-40°c时保持30分钟才做测试。其中，所述步骤S3中，测试温度点依次为-4o°c、-3o°c、-2o°c、-1(rc、(rc、i(rc、20°C、30°C、40°C、50°C、60°C、70°C、80°C和85°C;利用计算机记录恒温晶振在各测试温度点的数据时，将恒温晶振在_40°C保持30分钟，在其它13个温度点各保持15分钟。其中，所述步骤S3中，连续在两个_40°C至85°C测试循环内对恒温晶振进行测试，并且重复测试时可以改变恒温箱的温变速率。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本发明基于电极探测采样法，将温度探测电极用高温胶粘合在恒温晶振内部，在恒温晶振内部形成多个探测点，通过温度数据采集卡读取各个探测点的温度，并根据需要对这些数据进行分析、处理，确定最佳的晶体谐振器位置、功率管位置、热敏电阻位置、变容二极管位置、振荡电感位置，这样得到一个最优的恒温槽结构，使得晶体谐振器的周围环境温度变化量最小，恒温晶振的温度稳定性最好；还可以根据测试到的数据，增加加温度补偿器件，使恒温晶振的温度稳定度更好。通过上述过程指导恒温晶振恒温槽的设计工作。本发明为高稳定度恒温晶振的设计奠定了良好的基础，使恒温晶振的设计者可以节省大量的时间，极大缩短恒温晶振的设计周期，保证设计质量。并且具有操作简单、灵敏度高、精度好、判定准确可靠等特点，尤其适用于设计稳定度较高指标的恒温晶振。。RT1、R1、R2、R3组成差分电桥，差分电压经运放放大后控制晶体管的加热电流。Q1、Q2组成达林顿复合管，提高电流放大倍数。主要功耗在Q2上。
温补晶振9）、再现性：振荡器经过规定的时间间隔，再加电一段时间后返回原来频率的能力；10）、输出功率：施加规定电压和规定负载下温补晶振温度漂移=（3E-9/（30+70））*1=0.3E-1012小时老化漂移=（3E-10/24）*12/100=0.02E-10所以保持指标达到1.5μS的小时=（（1.5*10E10/10E6）/（60*60））/（0.3+0.015）=13.2H，振荡器消耗的电能，用电压和消耗电流的积表示；11）、输出电压（正弦波）：施加规定的电压和负载，在规定的时间内达到稳定后，用RF表测得的有效值或用示波器测量电压峰-峰值后换算的有效值。
