如果是芯片指定的晶振引脚，如在某些微处理器中，常常可以不加，因为芯片内部已经制作了，要仔细阅读DATASHEET的有关说明。和晶振并联的电阻作为负载，一般1M欧。也有和晶振串联的电阻为谐振电阻。。问：晶振的参数里有配用的谐振电容值。比如说32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF.这个值和实际电路中晶振上接的两个电容值是什么关系？像DS1302用的就是32.768K的晶振，它内部的电容是6pF的答：你所说的是晶振的负载电容值。指的是晶振交流电路中，参与振荡的，与晶振串联或并联的电容值。晶振电路的频率主要由晶振决定，但既然负载电容参与振荡，必然会对频率起微调作用的。cimake晶振石英晶振和陶瓷晶振成本区别陶瓷晶振就是指用陶瓷外壳封装的晶振，是用硅藻土经过高温烧制成的电子元器件，里面有一片很薄的压电晶片cimake晶振
即：使用2B晶振在做算法优化的前提下，时钟可以保持13.2个小时漂移在1.5μS以内。对于3E晶振（由于温度特性过于差，导致老化优化只能大约提升1个数量级）温度漂移=（5E-8/（30+70））*1=5E-10，陶瓷晶振不像其他陶瓷工艺品很大个，陶瓷晶振由于体积较小，因此在制作工艺上很难达到某些技术要求，和石英晶振比起来精度要差一些，但成本也比较低，主要用在对频率精度要求不高的电子产品中。52.将
恒温晶振安装在测试夹具上，并接上数字电流表和频率计数器后，将其放入恒温箱内；53.设置恒温箱的测试温度范围及测试温度点，在此温度范围内对恒温晶振各探测点的温度进行采集，录入计算机，同时记录恒温晶振在每个测试温度点相应的输出频率以及电流值。其中，所述步骤SI中，在恒温晶振的上盖上开孔，测试恒温晶振内部探测点的温度探测线从该孔中穿过并做密封处理，其一端的电极粘接在恒温晶振内部的探测点上。其中，所述步骤SI中，恒温晶振内部选定的探测点包括晶体谐振器位置、功率管位置、热敏电阻位置、变容二极管位置及振荡电感位置，并且每个位置选2至3个点。其中，所述步骤SI中，恒温晶振内部选定的探测点的数目根据孔的大小和温度探测线的线径确定。其中，所述步骤S2中，设置恒温箱的初始温度为25°C，恒温晶振在此条件下加电工作I小时后再开始测试。其中，所述步骤S3中，设置恒温箱的测试温度范围为-40°c至85V，从_40°C开始测试，设定恒温箱的温变速率。其中，所述步骤S3中，在恒温箱的温度首次降为-40°c时保持30分钟才做测试。其中，所述步骤S3中，测试温度点依次为-4o°c、-3o°c、-2o°c、-1(rc、(rc、i(rc、20°C、30°C、40°C、50°C、60°C、70°C、80°C和85°C;利用计算机记录恒温晶振在各测试温度点的数据时，将恒温晶振在_40°C保持30分钟，在其它13个温度点各保持15分钟。其中，所述步骤S3中，连续在两个_40°C至85°C测试循环内对恒温晶振进行测试，并且重复测试时可以改变恒温箱的温变速率。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本发明基于电极探测采样法，将温度探测电极用高温胶粘合在恒温晶振内部，在恒温晶振内部形成多个探测点，通过温度数据采集卡读取各个探测点的温度，并根据需要对这些数据进行分析、处理，确定最佳的晶体谐振器位置、功率管位置、热敏电阻位置、变容二极管位置、振荡电感位置，这样得到一个最优的恒温槽结构，使得晶体谐振器的周围环境温度变化量最小，恒温晶振的温度稳定性最好；还可以根据测试到的数据，增加加温度补偿器件，使恒温晶振的温度稳定度更好。通过上述过程指导恒温晶振恒温槽的设计工作。本发明为高稳定度恒温晶振的设计奠定了良好的基础，使恒温晶振的设计者可以节省大量的时间，极大缩短恒温晶振的设计周期，保证设计质量。并且具有操作简单、灵敏度高、精度好、判定准确可靠等特点，尤其适用于设计稳定度较高指标的恒温晶振。
cimake晶振
温补晶振：TCXO，普通的振荡器内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppm可以实现随着通信技术的不断提高,对恒温晶振的要求越来越高,使其不断向着高精度与高稳定化,低噪声与高频化、低功耗、快启动、小型化方向发展。晶振的相关数学定义假设晶振输出信号为正弦波,其数学模型可以表示为:式中VO为标称峰值输出电压,§(t)为幅度偏移,φ(t)为相位偏差,fr为标称频率。。消耗电流一般小于几十mA。是最常见的高精度的产品。在通讯终端中很常见。更好的如EPSON(爱普生)TG-5500CA系列温补晶振已经实现0.1ppm的高精度和20年的高稳定性。
cimake晶振还有耐高温、低噪声和抗辐射晶振等。这些晶振常用于坦克、装甲车、飞机、军舰、潜水艇及弹射装置的电子设备中；有的用于矿井探测及高温环境中；有的用于核爆试验及宇航空间电子设备中。cimake晶振因此，晶体振荡器类型被分析为可以以更低的成本被硅MEMS振荡器完全替代。由于这一因素，预计在预测期内硅振荡器市场将呈现正增长。在硅振荡器中，时钟源是自己提供的。硅振荡器使用内部RC时间常数，并且不依赖于机械谐振特性来驱动振荡频率。硅MEMS振荡器在大多数频率下均很容易获得。而且，即使在非标准频率下，也可以在短时间内进行编程和使用。考虑到所有这些因素，预计未来几年对硅振荡器的需求将会增长。但是，预计硅时钟振荡器将支持新特性，例如扩频功能，但尚未完全与陶瓷谐振器技术结合。陶瓷谐振器技术已经得到充分发展并达到了技术极限，而硅时钟振荡器技术才刚刚起步，预计这将成为制约全球硅振荡器市场增长的主要因素。
