系列实验表明,估计性能对d0、d和M的取值不是很敏感,建议取值为d=1~05d(M-1),d=0.1~1.0,M=5~10。加权对数函数模型的缺点是计算比较复杂。2.2.4晶振的频率温度特性除过老化的影响,温度也是影响频率变化的主要因素,而不同切型的石英晶振晶体的频率一温度特性是不一样的,一般AT切基频晶体的频率一温度变化关系都是三次曲线,存在若干个零温度系数点,如图2.6所示。
恒温晶振恒温晶振得主要优点是:由于采用了恒温槽的技术,频率温度特性会在所有类型晶振之中是最好得;由于电路设计很精密恒温晶振
2系统设计系统以FPGA作为控制器，芯片选用Altera公司的EP3C25E144C8，内部具有丰富的逻辑资源。开发平台是QuartusII集成开发环境，采用VetilogHDL语言对各功能模块进行逻辑描述，并完成了逻辑编译、逻辑化简、综合及优化、逻辑布局布线，并使用Modelsim、SignalnapII进行逻辑仿真，实现系统的设计要求，系统的原理框图所示。,其短稳与相位噪声都会比较好.主要的缺点是需5分钟左右得加热时间才可以正常的工作.所以在测试恒温晶振之时会需对其进行开机5分钟的测试,测试指标包括了:如果是芯片指定的晶振引脚，如在某些微处理器中，常常可以不加，因为芯片内部已经制作了，要仔细阅读DATASHEET的有关说明。和晶振并联的电阻作为负载，一般1M欧。也有和晶振串联的电阻为谐振电阻。。问：晶振的参数里有配用的谐振电容值。比如说32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF.这个值和实际电路中晶振上接的两个电容值是什么关系？像DS1302用的就是32.768K的晶振，它内部的电容是6pF的答：你所说的是晶振的负载电容值。指的是晶振交流电路中，参与振荡的，与晶振串联或并联的电容值。晶振电路的频率主要由晶振决定，但既然负载电容参与振荡，必然会对频率起微调作用的。
恒温晶振恒温晶振、
温补晶振的调试及测试时的注意点1)每一个单独指标必须单独测试,不能同时测试几种指标,也不能同时测试几只晶振2)中心频率偏差(Frequencyaccuracy)IEC标准定义:在基准点温度环境(25±2℃)和中心控制电压时,测得的频率值与标称频率的偏差。3)频率调谐范围(Frequencyadjustmentrange)。2)测试时要严格按照标准的测试电路和测试环境进行测试。3)在没有相当的测试设备和测试人员的情况下,不建议客户自行测试晶振,更不能随意调试晶振,测试设备的等级应至少比晶振指标高一个数量级。
恒温晶振9）、再现性：振荡器经过规定的时间间隔，再加电一段时间后返回原来频率的能力；10）、输出功率：施加规定电压和规定负载下恒温晶振5）稳定时间：振荡器从初始加电到稳定工作在规定极限值所需要的时间；6）相位噪声：是指信号功率与噪声功率的比率（C/N），是表征频率颤抖的技术指标。在对预期信号既定补偿处，以1Hz带宽为单位来测量相位噪声；，振荡器消耗的电能，用电压和消耗电流的积表示；11）、输出电压（正弦波）：施加规定的电压和负载，在规定的时间内达到稳定后，用RF表测得的有效值或用示波器测量电压峰-峰值后换算的有效值。
