5小时老化漂移=（3E-10/24）*5=0.63E-10所以保持指标达到1.5μS的小时=（（1.5*10E10/10E6）/（60*60））/（0.3+0.63）=4.5H即：使用2B晶振在不做算法优化下，时钟只能保持4.5个小时漂移在1.5μS以内。
压控晶振vctcxo石英晶振和陶瓷晶振成本区别陶瓷晶振就是指用陶瓷外壳封装的晶振，是用硅藻土经过高温烧制成的电子元器件，里面有一片很薄的压电晶片压控晶振vctcxo
依照文中方案设计两套完全独立的系统，以其中一套系统的
恒温晶振的时钟信号为基准，每秒与另一套系统的恒温晶振的时钟信号对比一次，相位差用300MHz的时钟进行量化，测量分辨力为3．3ns，部分测试结果如图7所示。图7(a)显示每秒测得的相位差；由于存在测量误差，因此采用滑动平均滤波的方法，在每秒测量两套系统相位差的同时，计算出最近200次的平均相位差，如图7(b)所示。表2对图7的实际测量数据进行统计，7(b)中的均方差是0．68度，四分位差为O．60度，说明两套独立系统的频率一致性很高，具有良好的稳定度。，陶瓷晶振不像其他陶瓷工艺品很大个，陶瓷晶振由于体积较小，因此在制作工艺上很难达到某些技术要求，和石英晶振比起来精度要差一些，但成本也比较低，主要用在对频率精度要求不高的电子产品中。即：使用3E晶振在不做算法优化下，时钟只能保持0.6个小时漂移在1.5μS以内。做算法优化算法优化分为温度特性优化以及老化率优化。晶振的温度特性漂移速度以及漂移量取决于晶振所处的环境温度点、环境的温变速度、设备机箱的温度传递速度以及晶体的迟滞特性，晶振频率漂移与温度变化的关系类似于一个加速阻尼振荡，是个5次函数关系，而温度传感器对于温度变化的响应速度是非常快的，如要简单依赖温度传感器对晶振的温度特性做优化，会带来温度补偿超前或滞后，导致频率晃动加上，短稳、抖动指标都将恶化，而且优化系统很难预知其他温度点晶振的漂移值。
压控晶振vctcxo影响时钟保持指标关键器件--晶振的重要指标保持模式下的漂移=晶振的日老化+晶振日波动+晶振温度漂移+电源特性漂移其中晶振日波动漂移是由于环境温度在24小时存在大约±2度的变化导致晶振温度补偿超前或滞后带来的频率变化，主要取决于晶振的温度特性。5.电压控制－温补晶体振荡器（VCTCXO）温度补偿晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。?6.电压控制－恒温晶体振荡器（VCOCXO）恒温晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。?晶振的应用：晶体振荡器被广泛应用到军、民用通信电台，微波通信设备，程控电话交换机，无线电综合测试仪，BP机、移动电话发射台，高档频率计数器、GPS、卫星通信、遥控移动设备等。它有多种封装，特点是电气性能规范多种多样。它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO），以及数字补偿晶体振荡器（MCXO或DTCXO）,每种类型都有自己的独特性能。
压控晶振vctcxo4)线性度:理想的压控电压和频率变化量的关系是线性的,但实际上总会有所偏差,这个偏差就是表征理想程度的压控线性度,通常用百分比表示压控晶振vctcxo10）输出功率：施加规定电压和规定负载下，振荡器消耗的电能，用电压与消耗电流的积表示；11）输出电压（正弦波）：施加规定的电压和负载，在规定的时间内达到稳定后，用RF表测得的有效值或用示波器测量电压峰-峰值后换算的有效值。。5)如果系统不能给出稳定的电压信号,或者对输出频率有严格的控制要求时,通常贴片晶振的振荡器可以自己给出经过稳压后的精准的电压供压控电压用,这个精准的电压就是参考电压。
