深圳晶振功耗

5.电压控制－温补晶体振荡器（VCTCXO）温度补偿晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。?6.电压控制－恒温晶体振荡器（VCOCXO）恒温晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。7.带热敏电阻的晶体-?Temperature?Sensing?Crystal?(TSX)?

晶振晶体，就是晶体，Crystal，简写为XTAL。双端输出，不需供电。震荡电路在芯片内部。晶振，是晶体振荡器，CrystalOscillator，简写为XO晶振

。单端输出，需要供电。震荡电路在晶振内部。1.?普通晶振PackagedCrystalOscillator（PXO）：是一种没有采取温度补偿措施的晶体振荡器，在整个温度范围内，晶振的频率稳定度取决于其内部所用晶体的性能，频率稳定度在10-5量级，一般用于普通场所作为本振源或中间信号，是晶振中最廉价的产品。晶振恒温晶体振荡器电路晶振当前温度对应的电压与标称电压值通过温控放大器进行差放,驱动发热元件使槽内晶体温度总是保持在其高温拐点,这样的晶振称为恒温晶振晶振

负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容。与前面所述各种晶振相比,此是最为稳定的种晶振。它基于冷压焊晶体和内热式晶体,相应的振荡器便称为冷压焊晶体振荡器和内热式晶体振荡器。

晶振4)线性度:理想的压控电压和频率变化量的关系是线性的,但实际上总会有所偏差,这个偏差就是表征理想程度的压控线性度,通常用百分比表示晶振特点：加载恒温槽内，使石英晶体配调于零温度系数点上，而不受外界温度的影响，使振荡器满足特性指标。频率范围：1～250MHz（中精度），2.5，5，10MHz（高精度）；频率稳定度：10-7～10-8（中精度），10-9～10-11（高精度）。。5)如果系统不能给出稳定的电压信号,或者对输出频率有严格的控制要求时,通常贴片晶振的振荡器可以自己给出经过稳压后的精准的电压供压控电压用,这个精准的电压就是参考电压。