1)工作温度范围的下限越低,振荡器功耗越大,同时石英晶振频率温度稳定度越难实现。2)工作温度范围的上限越高,晶体拐点设置越高,晶体成本上升越多。3)压控特性(电压范围、极性、线性、压控输入阻抗)IEC标准定义:当控制电压变化时,引起的振荡器输出的频率、波形特征等电特性的变化。注:cimake代理商
温补晶振，
恒温晶振，
压控晶振，普通钟振，这些都是有源晶振，所以有源晶振肯定需要电源加入才能工作cimake代理商
恒温晶振和温补晶振有什么区别？一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如温补晶振一般能达到-7量级，而恒温晶振可达到-9量级。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。。恒温晶振，由于晶体振荡器的震荡频率会复随着温度的变化而变化，故为了保持频率的稳定性，将晶振控制在一个恒定的温度下工作以此来提高晶振的相频特性。在晶振通电稳定后，晶体的老化漂移呈现非常有规律且重复性非常好的类抛物曲线，采取简单的线性补偿就可以提升1~2个数量级。如要对晶振老化漂移优化，需要得到晶振在上级时钟良好、时钟板处于锁定状态下的漂移，通过读取锁定电压值即可。需要特别注意的是，这个锁定值会在晶振老化漂移的基础上叠加晶振温度特性的影响，如果晶振温度漂移特性超过老化漂移时，即便采取平滑手段也很难得到老化真正的漂移特性，或者得到的不够准确，也会带来晶振老化优化提升不足。
cimake代理商恒温晶振、温补晶振的调试及测试时的注意点1)每一个单独指标必须单独测试,不能同时测试几种指标,也不能同时测试几只晶振负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容。2)测试时要严格按照标准的测试电路和测试环境进行测试。3)在没有相当的测试设备和测试人员的情况下,不建议客户自行测试晶振,更不能随意调试晶振,测试设备的等级应至少比晶振指标高一个数量级。
cimake代理商温补晶振，TCXO，普通的振荡器内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能做到+/-2ppmcimake代理商瞬时频率为:相对频率偏移为：式中x(t)=为时间偏差,由式(2-7)可以得到：瞬时频率的常用公式为:式中f(t)为t时刻的瞬时频率值,fO为t=0时刻的频率值,fr为标称频率,D(t)为频率漂移率。由式(2-7)和(2-9)可推导出:。消耗电流一般小于几十mA。是最常见的高精度的产品。在通讯终端中很常见。恒温晶振，OCXO，在特制的晶体周围包有振荡电路和恒温电路，频率稳定度可以达到+/-0.01ppm。消耗电流一般300mA~2A。主要应用于卫星，通讯基站等。
