即：使用2B晶振在做算法优化的前提下，时钟可以保持13.2个小时漂移在1.5μS以内。对于3E晶振（由于温度特性过于差，导致老化优化只能大约提升1个数量级）温度漂移=（5E-8/（30+70））*1=5E-10tcxo晶振作为
恒温晶振OCXO或
温补晶振TCXO,常用的有100M晶振，而100MHz是一个常用的频率tcxo晶振
晶振在电气上可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率为串联谐振，较高的频率为并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。。从切型和振动模式来看，常用的有以下3种晶体：AT切3次泛音、AT切5次泛音、SC切5次泛音。前一种通常用来制作温补晶振TCXO,后2种用来制作恒温晶振OCXO.这是因为：权利要求1.一种提高恒温晶振频率稳定度的方法，其特征在于:所述方法包括以下步骤:恒温晶振内部选定探测点，将温度探测线一端的电极粘接在探测点上，温度探测线的另一端通过数据采集器连接至计算机上，并按照探测线的序号记录各探测点的名称及位置；恒温晶振安装在测试夹具上，并接上数字电流表和频率计数器后，将其放入恒温箱内；置恒温箱的测试温度范围及测试温度点，在此温度范围内对恒温晶振各探测点的温度进行采集，录入计算机，同时记录恒温晶振在每个测试温度点相应的输出频率以及电流值。
tcxo晶振负载电容可以在振荡器电路设计中发挥关键作用。在下一个设计注意事项中，您将看到一个负载电容重要性的示例，但现在，让我们仔细研究一下负载电容本身输出幅度都在9dBm左右。测试相噪结果如下：要从理论上来解释这个结果，有些困难甚至有些牵强。不过我还是尝试一下。先看远端10KHz以外的相噪，晶体C最好，这或许是因为使用了较高的电源电压，因此输出信噪比较好。晶体A与B相比，A的远端相噪较好，这可能是基于以下2点：。负载电容被描述为在电路中晶体端子两端测量或计算的电容量。对于串联电路，晶振电路的连接点之间没有电容。因此，电路中没有负载电容。并联电路则是另一回事。要确定并联电路中的负载电容(在设计考虑因素3中进行了描述)，请使用以下便捷公式：
tcxo晶振恒温石英晶体振荡器温度特性试验的升温速率是有标准的.简要说明如下：一、环境试验箱温度应按阶梯（或按规定速率直线）式升高tcxo晶振一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。一般的晶振的负载电容为15p或12.5p，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。晶振是为电路提供频率基准的元器件，通常分成有源晶振和无源晶振两个大类，无源晶振需要芯片内部有振荡器，并且晶振的信号电压根据起振电路而定，允许不同的电压，但无源晶振通常信号质量和精度较差，需要精确匹配外围电路（电感、电容、电阻等），如需更换晶振时要同时更换外围的电路。有源晶振不需要芯片的内部振荡器，可以提供高精度的频率基准，信号质量也较无源晶振要好。,并在每次温度调整时都要有规定的稳定时间．注：在某些应用场合．可能要求测定从最低温度升到最高温度与从最高温度降劐最低温度之间频率温度特性的再现性.
